Si1010/1/2/3/4/5
16.8 。在休眠模式DC-DC转换器行为
当Si1014 / 10器件处于休眠模式时， DC-DC转换器被禁用，而
VDD_MCU / DC +输出默认情况下，内部连接到VBAT 。这种行为确保GPIO
引脚从在睡眠模式下的低阻抗电源供电。如果GPIO引脚不能用作
在休眠模式下的输入或输出，那么VDD_MCU / DC +输出可在休眠模式下浮动
模式通过将DC0CF寄存器中的VDDSLP位为1 。
设置此位可以提供省电两种方式。首先，如果睡眠间隔比较短，而
VDD_MCU / DC +负载电流（包括泄漏电流）是可忽略的，则在电容器
VDD_MCU / DC +将保持输出电压接近设定值，这意味着该
VDD_MCU / DC +电容不会需要充电时每一个醒来的事件。第二功率
优点是，需要超过1.8伏的内部或外部的低功率电路可以继续功能
在休眠模式化，而不需要操作的DC-DC转换器，搭载存储在1 μF的能量
输出去耦电容。例如， Si1014 / 5比较器工作时，需要大约0.4微安
在他们的最低功耗模式。如果直流 - 直流转换器的输出分别只把前增加到3.3伏
器件进入休眠模式，那么比较可能会在输出前对供电超过3秒
电压下降到1.8V。在这个例子中，整体的能量消耗会比如果低得多
直流 - 直流转换器被关运行到比较器供电。
如果上VDD_MCU / DC +负载电流足够高，以在VDD_MCU / DC +电容放电到
在睡眠间隔期间电压比VBAT低，内部二极管会阻止VDD_MCU / DC +从
比低于VBAT，几百毫伏下降更多。可能有一些额外的漏电流
从VBAT接地时VDD_MCU / DC +水平低于VBAT的，但这种泄漏电流应该为
小比从VDD_MCU / DC +电流。
的，它需要的配置在单细胞模式的设备的时间，从休眠模式唤醒
取决于许多因素，包括直流 - 直流转换器的时钟速度， SWSEL的设置，
ILIMIT和LPEN比特时，电池内电阻，负载电流，并且之间的差值
VBAT电压等级和编程输出电压。唤醒时间可以短至2微秒，尽管
它是更普遍的在5至10微秒的范围内，并且它可以超过在极端条件下50微秒。
见“ 14 。电源管理“ 157页的有关休眠模式的详细信息。
16.9 。旁路模式
在正常操作中，如果直流 - 直流转换器的输入电压超过设定的输出电压，该
转换器将停止开关，二极管旁路开关将保持在“开”的状态。输出电压
将等于输入电压减去在所述开关的任何电阻损耗和全部的转换的模拟电路的
cuits将保持偏颇。旁通功能自动关闭的dc-dc转换器，当输入
电压大于设定的输出电压由150毫伏。在旁路，二极管旁路开关和
直流 - 直流转换器的偏置电流是除了电压比较电路（〜 3微安，这取决于禁用
关于在DC0MD寄存器中的配置设置） 。如果输入电压降至50 mV以内亲的
编程输出值，则直流 - 直流转换器将自动启动，在正常状态下工作。有
内置旁路比较100 mV的电压迟滞以增强稳定性。
在旁路模式下增加了系统的操作时间，其中有一最低工作电压的系统
比生命电压的电池末高。例如，如果一个外部芯片需要一个最低电源电压
报废的2.7 V的年龄和锂纽扣电池作为电源（电压约为
2V） ，则C8051F912 / 902的dc-dc变换器，可以为2.7 V的输出电压被配置
旁路模式下启用。直流 - 直流转换器将被旁路，当电池是新鲜，但只要
当电池电压降到低于2.75伏，直流 - 直流转换器将打开，以确保外部
芯片提供了具有最小的2.7 V输出用于对电池寿命的剩余部分。
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SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
