Si102x/3x
23.3.3 。外部电容模式
若使用电容器作为外部振荡器，电路应被配置为显示在图23.1 ，
选项3.电容器应加到XTAL2引脚，应将XTAL2为模拟I / O与配置
数字输出驱动器被禁止。 XTAL1不受影响在RC模式。
该电容应不大于100pF的更大;然而，对于非常小的电容，所述总电容
可以通过在PCB布局寄生电容为主。振荡频率和所需的
OSCXCN寄存器外部振荡器频率控制值（ XFCN ）可以通过确定
下面的等式：
KF
-
f
= --------------------
C
V
DD
其中...
在k MHzR =上拉电阻值f =频率时钟
V
DD
=电源在VoltsC =电容值在XTAL2引脚pF的电压
下面是选择所述电容器和寻找振荡频率的一例假设V
DD
= 3.0 V
和f = 150 kHz的：
KF -
f
= --------------------
C
V
DD
KF
0.150兆赫= -----------------
C
3.0
由于大约150 kHz的频率需要，从表23.2中选择K因子，得到KF = 22 ：
22 -
0.150兆赫= ----------------------
C
3.0 V
22
-
C = ----------------------------------------------
0.150兆赫
3.0 V
C = 48.8 pF的
因此， XFCN值在这个例子中使用的是011和C是大约为50 pF 。
对于C模式下，建议启动过程是一样的RC模式。
23.3.4 。外部CMOS时钟模式
如果外部CMOS时钟作为外部振荡器，时钟应直接连接到XTAL2 。
在XTAL2引脚应被配置为数字输入。 XTAL1是不是在外部CMOS时钟模式下使用。
当外部振荡器被配置为外部振荡器有效检测仪将始终返回零
外部CMOS时钟模式。
修订版0.3
297
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
