Si3056
Si3018/19/10
表4. AC特性（续）
(V
D
= 3.0〜 3.6 V ，T
A
= 0至70℃ ;参见图17第18页）
参数
收到总谐波
失真
8,9
收到总谐波
失真
8,9
动态范围（来电显示
模式）
来电显示满度电平
AOUT低电平电流
AOUT高电平电流
符号
THD
THD
DR
CID
V
CID
测试条件
ILIM = 0， DCV = 00 ， DCR = 0，
I
L
= 20 mA时， MINI = 11
ILIM = 1 ， DCV = 11 ， DCR = 0 ，
I
L
= 50 mA时， MINI = 00
VIN = 1千赫， -13 dBFS的
民
—
—
—
—
—
—
典型值
–78
–78
50
6
—
—
最大
—
—
—
—
10
10
单位
dB
dB
dB
V
PEAK
mA
mA
注意事项：
1.
参见图26第37页。
2.
测量TIP和RING 600
Ω
终止在1 kHz ，如图1中所示。
3.
随着FULL = 1， 3.2 dBm的发射和接收满量程电平可以用600来实现
Ω
交流终止，而
以dBm为单位发送和接收电平与参考阻抗变化时， DAA将发送和接收1的dBV到所有
参考阻抗在“FULL”模式。以全屏幕2 = 1， 6.0 dBm的发射和接收的满量程电平可以是
实现了与一个600
Ω
交流结束。在“全屏幕”模式下， DAA将发送和接收1.5的dBV到所有参考
阻抗。
4.
得到充分的规模水平产生-0.9 dBFS的在SDO 。
5.
DR = 20×日志（ RMS V
FS
/电压有效值
IN
） + 20×日志（ RMS V
IN
/ RMS噪声） 。 RMS噪声测量排除
谐波。 V
FS
为0 dBm的满量程电平。
6.
测定为300至3400赫兹。同时适用于发送和接收路径。 V
IN
= 1千赫， -3 dBFS的， FS = 10300赫兹。
7.
当使用Si3010线路侧，典型的DR值将是约10dB以下。
8.
THD = 20×日志（ RMS失真/ RMS信号） 。 V
IN
= 1千赫， -3 dBFS的， FS = 10300赫兹。
9.
当使用Si3010线路侧，典型的THD值将是约10dB以上。
10.
DR
CID
= 20×日志（RMS V
CID
/电压有效值
IN
） + 20×日志（RMS V
IN
/均方根噪声） 。 V
CID
对于典型的6 V满度电平
应用电路如图17.增强CID电路中， V
CID
满量程电平为1.5 V峰值，和DR
CID
增加至62分贝。
11.
可仅Si3019线路端装置上。
修订版1.05
9
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
