Si3230
2.1.9 。换行校准
内部校准算法校正内部和
外部组件的错误。由开始校准
设置直接注册96. CAL位后
在校准周期结束时，该位为
自动复位。
因此建议的校正被执行
以下系统上电。于芯片的释放
复位时， Si3230将处于打开状态。后
通电的直流 - 直流转换器，并允许其沉降
为时间（t
SETTLE
）的校准可以被发起。
额外的校准可被执行，但只有一个
校准应该是必要的，只要该系统
保持通电。
在校准过程中，V
BAT
, V
TIP
和V
环
电压
由校准引擎来提供受控
正确的外部电压条件的算法。
校准应在挂机的状态下进行。
环或提示不能在连接到地
校准。
选择适当的输入时应考虑这一点
电压和额定功率在V
DC
电源。
对于这种溶液， PNP型功率双极结型晶体管（ Q7），切换
电流流过的低ESR电感器L1 。该Si3230
使用DCDRV和DCFF引脚上的开关Q7和
关。 DCDRV控制Q7通过NPN三极管Q8 。 DCFF是
交流耦合到Q7通过电容C10 ，以协助在R16
关闭Q7 。因此， DCFF必须有相反的
极性DCDRV和Si3230 （不Si3230M ）绝
被使用。
2.2.3 。使用MOSFET /变压器电选
Si3230M
在MOSFET /变压器电路的选择，因为在定义
输入电压范围。根据变压器
初级电感值和开关频率，所述
输入电压（V
DC
）的范围可以从3.3 V至35 V.
因此，有可能将整个的ProSLIC供电
解决方案从单一3.3 V或5 V电源。通过
一个直流 - 直流转换器的操作中，峰的性质和
平均输入电流可以变大与小
输入电压。在选择时应考虑这一点
适当的输入电压和额定功率在V
DC
电源（ REN数支持） 。
对于这种溶液， N沟道功率MOSFET （M1）的
开关的电流流过电源变压器
T1 。 T1被指定在应用笔记45 （ AN45 ） ，和
包括：在初级侧的几个抽头，以方便
宽输入电压范围。该Si3230M版
该Si3230必须用于应用电路
在图5中描述，因为DCFF引脚用于
直接驱动M1和因此必须相同
极性DCDRV 。 DCDRV未在该电路中使用的
选项; DCFF和DCDRV连接在一起是不是
推荐使用。
2.2.4 。 DC-DC转换器架构
对于一个脉冲宽度控制逻辑调制（PWM）直流 -
DC转换器中的Si3230并入。输出引脚，
DCDRV和DCFF ，用于切换的双极
晶体管或MOSFET 。 DCFF的极性是相反的
该DCDRV的。
该直流 - 直流转换器电路通电时的
在掉电注册DCOF位（直
寄存器14中，第4位）被清除为0的开关
在Si3230内调节器电路是高
性能，脉冲宽度调制控制器。该
控制销通过在PWM控制器逻辑驱动
该Si3230 。稳压输出电压（V
BAT
）是
感测到的SVBAT销和用于检测是否
的输出电压是高于还是低于一个内部
参考所需的电池电压。直流
监测引脚SDCH和SDCL监测输入电流和
2.2 。电池电压生成和
开关
该Si3230集成了一个直流 - 直流转换器控制器，该控制器
动态地调节一个单一的输出电压。这
不需要提供大的外部电池
电压。相反，它把一个单一的正输入
电压变换成所需要的任何实时电池电压
根据编程的换行给定的状态
参数。
2.2.1 。 DC-DC转换器概述
直流 - 直流转换器将动态生成的大
以操作换行所需的负电压
界面。该Si3230充当控制器的降压 -
升压的DC-DC变换器，将一个正的直流
电压为所需的负电池电压。在
除了无需外部电源，这
允许Si3230动态地控制电池
电压到所需的任何给定的模式的最小
操作。
丰富的设计指南可从以下地址获得
应用说明45（ AN45 ），并从一个交互式直流 -
DC转换器设计的电子表格。这两种
文件可从Silicon Laboratories的
网站（ www.silabs.com ） 。
2.2.2 。 BJT /电感电路使用Si3230
双极结型晶体管/电感电路，如在图4中定义的，提供了一个
灵活的，低成本的解决方案。根据所选择的L1
电感值和开关频率，在输入
电压（V
DC
）的范围可以从5 V至30 V.通过的性质
直流 - 直流转换器的操作中，峰值和平均输入
电流可以变大与小的输入电压。
初步修订版0.96
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SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
