Si3230
表4.换行特性（续）
(V
DDA
, V
DDD
= 3.13至5.25 V ，T
A
= 0至70℃，用K-级， -40至85℃的B-级）
参数
梯形环翠园
精度的因素
正弦环翠园
因素
振铃频率精度
振铃节奏精度
校准时间
功率报警阈值
准确性
符号
测试条件
波峰因数= 1.3
民
–.05
1.35
典型值
—
—
—
—
—
—
最大
.05
1.45
1
50
600
25
单位
R
CF
F = 20赫兹
ON精度/ OFF时间
↑ CAL
to
↑ CAL
位
在功率阈值= 300毫瓦
–1
–50
—
–25
%
ms
ms
%
*注意：
直流电阻往返; 160
Ω
对应于2千英尺26号AWG
.
表5.监控ADC特性
(V
DDA
, V
DDD
= 3.13至5.25 V ，T
A
= 0至70℃，用K-级， -40至85℃的B-级）
参数
微分非线性
（ 6位分辨率）
积分非线性
（ 6位分辨率）
增益误差（电压）
增益误差（电流）
符号
DNLE
茵莱
测试条件
民
–1/2
–1
—
—
典型值
—
—
—
—
最大
1/2
1
10
20
单位
最低位
最低位
%
%
表6. Si3230直流特性，V
DDA
= V
DDD
= 5.0 V
(V
DDA
,V
DDD
= 4.75 V至5.25 V ，T
A
= 0至70℃，用K-级， -40至85℃的B-级）
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
符号
V
IH
V
IL
V
OH
测试条件
民
0.7× V
DDD
—
典型值
—
—
—
—
—
最大
—
0.3× V
DD
D
单位
V
V
V
V
V
DIO1 ， DIO2 ， SDITHRU ：我
O
= -4毫安
V
DDD
– 0.6
SDO ：我
O
= -8毫安
DOUT ：我
O
= -40毫安
—
—
0.4
V
DDD
– 0.8
—
低电平输出电压
V
OL
DIO1 ， DIO2 ， DOUT ， SDITHRU ：
I
O
= 4毫安
SDO ， INT ：我
O
= 8毫安
输入漏电流
I
L
–10
—
10
µA
8
初步修订版0.96
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
