Si3215
表5.监控ADC特性
(V
DDA
, V
DDD
= 3.13至5.25 V ，T
A
= 0至70℃，用K-级， -40至85℃的B-级）
参数
微分非线性
（ 6位分辨率）
积分非线性
（ 6位分辨率）
增益误差（电压）
增益误差（电流）
符号
DNLE
茵莱
测试条件
民
–1/2
–1
—
—
典型值
—
—
—
—
最大
1/2
1
10
20
单位
最低位
最低位
%
%
表6. Si321x直流特性，V
DDA
= V
DDD
= 5.0 V
(V
DDA
, V
DDD
= 4.75至5.25 V ，T
A
= 0至70℃，用K-级， -40至85℃的B-级）
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
符号
V
IH
V
IL
V
OH
测试条件
民
0.7× V
DDD
—
典型值
—
—
—
—
—
最大
—
0.3× V
DD
D
单位
V
V
V
V
V
SDITHRU ：我
O
= -4毫安
SDO ， DTX ：我
O
= -8毫安
DOUT ：我
O
= -40毫安
V
DDD
– 0.6
V
DDD
– 0.8
—
—
—
0.4
低电平输出电压
V
OL
SDITHRU ：
I
O
= 4毫安
SDO ， INT ， DTX ：我
O
= 8毫安
输入漏电流
I
L
–10
—
10
µA
表7. Si321x直流特性，V
DDA
= V
DDD
= 3.3 V
(V
DDA
, V
DDD
= 3.13至3.47 V，T
A
= 0至70℃，用K-级， -40至85℃的B-级）
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
符号
V
IH
V
IL
V
OH
测试条件
民
0.7× V
DDD
—
典型值
—
—
—
—
—
最大
—
0.3× V
DD
D
单位
V
V
V
V
V
SDITHRU ：我
O
= -2毫安
SDO ， DTX ：我
O
= -4毫安
DOUT ：我
O
= -40毫安
V
DDD
– 0.6
V
DDD
– 0.8
—
—
—
0.4
低电平输出电压
V
OL
SDITHRU ：
I
O
= 2毫安
SDO ， INT ， DTX ：我
O
= 4毫安
输入漏电流
I
L
–10
—
10
µA
12
修订版0.92
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
