Si3220/25
1.电气连接特定的阳离子
表1.绝对最大额定值和热信息
1
参数
电源电压， Si3200和Si3220 / Si3225
高电池电源电压， Si3200
2
电池电量低电源电压， Si3200
TIP和RING电压， Si3205
符号
V
DD
, V
DD1
–V
DD4
V
浴
V
BAT
,V
BATL
V
TIP
,V
环
TEST
条件
连续
10毫秒
连续
连续
脉冲< 10微秒
脉冲< 4微秒
价值
-0.5 〜6.0
0.4〜 -104
0.4〜 -109
V
浴
单位
V
V
V
TIP ，环电流， Si3200
STIPAC ， STIPDC ， SRINGAC ， SRINGDC电流，
Si3220/Si3225
输入电流，数字输入引脚
Si3220 / 25模拟地差分电压
（ GND1到EPAD ， GND2为EPAD或GND1 GND2来）
3
Si3220 / 25数字地面差分电压（ GND3
到GND4 ）
3
Si3220 / 25模拟到数字地面差分电压
年龄（ GND1 / GND2 / EPAD到GND3 / GND4 ）
3
数字输入电压
工作温度范围
存储温度范围
Si3220 / Si3225热阻，
典型
3
（ TQFP - 64 EPAD ）
Si3200热电阻，典型
4
（ SOIC - 16 EPAD ）
连续功率耗散， Si3200
5
连续功率耗散， Si3220 / 25
I
TIP
, I
环
–104
V
浴
–15
V
浴
–35
±100
±20
±10
±50
±50
±200
mA
mA
mA
mV
mV
mV
I
IN
∆V
GNDA
∆V
GNDD
∆V
GND ， A-D
V
IND
T
A
T
英镑
θ
JA
θ
JA
P
D
P
D
连续
-0.3〜 （
V
DDD
+ 0.3)
V
-40至100
°C
-40至150
°C
25
° C / W
55
T
A
= 85 °C,
SOIC-16
T
A
= 85 °C,
TQFP-64
1
1.6
° C / W
W
W
注意事项：
1.
如果绝对最大额定值超过可能出现永久性损坏设备。功能操作应
仅限于在本数据表的业务部门规定的条件。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
2.
的dv / dt的电压施加于V
BAT
, V
浴
和V
BATL
引脚必须限制在10 V / μs的。
3.
PCB焊盘的封装设备划归必须通过多个过孔在PCB接地层的连接
GND1 - GND4引脚通过短的走线。在TQFP- 64电子垫必须的PCB过程中正确焊接到PCB焊盘
装配。这种类型的低阻抗接地装置是必要的，以确保最大的差异是不
除了提供散热的任何操作条件下超过。
4.
裸焊盘封装的热电阻是有保证时，以推荐的印刷电路板布局
准则得到遵守正确。该规定的性能要求将裸露焊盘焊接到裸露
大小相等，并且多个通孔的铜表面被加入，以使顶侧的铜之间的热传导
表面和内部的大型铜接地平面。请参阅“ AN55 ：双信道ProSLIC
®
用户指南“，或向Si3220 / 3225
评估板数据表特定布局的例子。
5.
片上热限制电路将关闭电路在大约150 ° C的结温。为了获得最佳的
可靠性，应避免结温度高于140℃。
4
修订版1.2
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
