Si3220/25
3.2 。电源排序
为确保正常运行，以下电源
排序准则应遵循：
V
DD
应该允许达到其稳态
电压V前至少20毫秒
浴
被允许
开始上升至其所需的电压。
瞬变和振荡用的dv / dt高于10 V /
微秒的V
DD
和V
浴
供应始终应
避免使用。
斜坡上升时间V
DD
应在的范围
2毫秒至20毫秒。斜坡上升时间V
浴
应
在10毫秒至150毫秒的范围内。慢斜坡上升
时间不推荐使用。
V
BATL
铁路绝不能比负
V
浴
在任何部分供电的轨斜坡
了。
该Si3200拥有的ESD钳位保护电路
连接V之间
DD
和V
浴
轨。这
钳防止ESD损坏时， Si3200
该设备正在处理外的电路中
制造。必须采取预防措施，在V
DD
和
V
浴
系统电源设计。在上电时，该
V
DD
和V
浴
轨道必须斜坡从0 V至其
以线性方式各自的目标值，切莫
具有快速的瞬态或振荡可能导致
ESD钳位电路，以用于长时间激活
时间造成的损坏Si3200 。电阻器
通过R23与电容一起显示为R20
C23 ，C24 ，通过C30和C31上的图12和R 23
R26与电容C24 ， C25 ， C32和C33的
在电路的ESD钳位激活通过形成滤波器的时间
恒定，并通过提供在壳体的限流作用
上电时的瞬间夹紧激活。这些
电阻和电容必须被包括在
应用电路中，同时确保在V
DD
和
V
浴
系统电源被设计成显示
初创的行为是不可取的自由瞬态或
振荡。一旦V
DD
和V
浴
处于它们的稳定
国家最终值时， ESD钳位具有电路，
防止它通过瞬态慢被激活
超过10 V / μs的。在稳定通电的状态下， V
DD
和V
浴
因此，轨道不能表现出瞬变
导致的电压变化率大于10伏/微秒。
恒定电流区域（由环路电流限定
限，我
LIM
）的可编程范围为18到45毫安
0.87毫安步骤。该Si3220和Si3225表现出
640的特性阻抗直流
Ω
或320
Ω
中
活动模式。 （参见第33页上的"3.4 。自适应Linefeed" ） 。
在TIP- RING电压（V
OC
）从地面通过一个偏移
可编程电压（V
CM
），以提供足够的
电压裕量，以最积极的终端
（通常是提示带头正极性或圆环
携带音频信号导致的反极性） 。一
类似的可编程电压（V
OV
）被偏置
最负端子与电池之间
供电线对携带音频信号。 （参见图14 ）
用户提供的电池电压必须有足够的
在所有工作状态的振幅，以确保足够
净空。该Si3200可被低级供电
二次电池电压（V
BATL
），以降低总功率
散热驾驶的短回路长度时。
环闭合阈值
我不断的地区
V
CM
V
TIP
V
OC
恒压区
R
环
V
OV
V
BATL
V
中五
BAT
选
V
OV
V
环
V
浴
图14.直流换行高架电压
（正国）
3.3.1 。计算开销电压
3.3 。直流馈电特性
该Si3220和Si3225提供可编程constant-
电压和恒定电流工作区域为
在图14中的恒定电压区域所示
（由开路电压，V限定
OC
）是
可编程从0到63.3 V在1 V的步骤。该
两个可编程的开销电压（V
OV
和
V
CM
）表示之间的总电压的一部分
V
BAT
和接地，如图14下
正常操作条件下，这些开销电压
足够低，以保持所要求的TIP- RING
电压（V
OC
） 。但是，也有一定的条件
下，用户必须提供一个小心
电池供电有足够的幅度供应
需要TIP- RING电压和足够的余量
满足这些开销电压。在V
CM
电压被编程为给定的运行条件。
因此，开路电压（V
OC
）变化
根据所需要的开销电压（V
OV
）和
附带的电池电压（V
BAT
） 。用户应
注意最大V
OV
和V
CM
那威力
需要为每一个操作状态。
在摘机状态的活性，充分V
OC
必须是
保持正确的电源来自手机
提供的电池供电。因为电池
供应依赖于输入电源的状态（即，
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修订版1.2
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
