Si3220/25
表4. 5 V电源特性
1
（续）
(V
DD
, V
DD1
– V
DD4
=
5 V ，T
A
=
0 〜70 ℃， K / F-级， -40〜 85°C为B / G级）
参数
V
BAT
电源电流
(Si3200)
符号
I
VBAT
测试条件
睡眠模式， RESET = 0 ，
V
BAT
= –70 V
开（高阻抗） ，V
BAT
= –70 V
主动挂机待机，V
BAT
= –70 V
正向/反向有功摘机，
ABIAS = 4毫安， V
BAT
= –24 V
正向/反向OHT ， OBIAS = 4毫安，
V
BAT
= –70 V
响，V
环
= 45 V
RMS
,
V
BAT
= –70 V,
1 REN负载
2
民
—
—
—
—
典型值
125
190
700
4.7 +
I
LIM
8.8
6.5
最大
—
—
—
—
单位
µA
µA
µA
mA
—
—
—
—
mA
mA
芯片组电源
消费
P
睡觉
P
开放
P
STBY
P
ACTIVE3
P
OHT
P
环
睡眠模式， RESET = 0 ，
V
BAT
= –70 V
开（高阻抗） ，V
BAT
= –70 V
主动挂机待机，V
BAT
= –70 V
正向/反向有功摘机，
ABIAS = 4毫安， V
BAT
= –24 V
正向/反向OHT ， OBIAS = 4毫安，
V
BAT
= –70 V
响，V
环
= 45 V
RMS
,
V
BAT
= -70 V， 1任载荷
2
—
—
—
—
—
—
13.8
123
154
436
941
610
—
—
—
—
—
—
mW
mW
mW
mW
mW
mW
注意事项：
1.
所有规格的基础上有两个通道中的运行状态测量一个通道。
2.
见"3.14.4 。振铃电源Considerations" 53页上的电流和功耗下的其他工作
条件。
3.
功耗不包括所需的直流回路馈送额外的电源。系统总功耗必须
包括附加的（Ⅴ
DD
+ |V
BAT
| ） ×1
环
期限。
修订版1.2
9
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
