Si3232
表4. AC特性
(V
DD
, V
DD1
–V
DD4
=
3.13至3.47 V，T
A
=
0至70℃，用K-级， -40至85℃的B-级）
参数
TX满量程输出
RX满量程输入
测试条件
TX / RX性能
VTXP - XTXN
VRXP - VRXN ， ARX = 0分贝
ARX = -3.52分贝
ARX = -6.02分贝
CMTXSEL = 1
CMTXSEL = 0
ATX阶段= 0dB时， THD = 1.5 ％
2线至4线或4线到2线：
200 Hz至3.4 kHz的
2线至4线到2线：
200 Hz至3.4 kHz的
民
0.1
0.25
0
0
0.6
—
2.5
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
1.5
—
—
–74
–74
–74
—
—
—
最大
V
DD
–0.1
V
DD
–0.25
V
DD
V
DD
1.5
—
—
—
–68
–65
–68
–41
+0.25
10
单位
V
V
V
V
V
V
V
PK
dB
dB
模拟量输入/输出共
电压模式
过载水平
超载压
单频失真
1
信号与（噪声+失真）
比
2
互调失真
增益精度
2
增益失真与频率的关系
增益跟踪
200 Hz至3.4 kHz的
主动摘机，并OHT ，任何的Z-
T
2线至4线或4线到2线，
1014赫兹，任何增益设置
-3 dB的角落
1014 Hz的正弦波，
参考电平为-10 dBm
信号电平：
3分贝到-37分贝
-37 dB到-50 dB的
-50分贝到-60分贝
的0 dBm 0 ，
在300Hz到3.4kHz的
在300Hz到3.4kHz的
200Hz到3.4kHz的
dB
dB
千赫
–0.25
0.01
—
—
—
—
—
26
—
—
—
—
—
30
±0.25
±0.5
±1.0
–75
–75
—
dB
dB
dB
dB
dB
dB
通道间的串扰
TX或RX到TX
TX到RX到RX
2线的回波损耗
3
注意事项：
1.
输入信号电平应的0 dBm 0的频率大于100赫兹。对于100Hz及以下的水平应
-10 dBm0的。在任何其它频率的输出信号幅度会比最大值要小
指定的。
2.
测量V模拟信号
TIP
– V
环
。假定理想的线路阻抗的匹配。
3.
V
DD
=
3.3 V, V
BAT
=
-52 V，没有熔断电阻器，R
L
=
600
Ω,
Z
S
=
600
Ω
合成采用RS注册系数。
4.
的0至4kHz的带宽内的任何不希望的音调的电平不会超过-55 dBm的。
5.
该OBIAS和ABIAS寄存器进行编程的直流偏置电流流过的SLIC的挂机传输和场外
钩活性的条件下，分别。这每管脚总电流设定应进行选择，使得它可以
通过每个提示的容纳金属和纵向电流的总和和RING导线的给定
应用程序。
8
初步修订版0.96
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
