Si3452/3
表2.推荐工作条件
描述
工作环境温
perature
热阻抗*
符号
T
A
θ
JA
测试条件
“ -GM ”部件号
“ -Im ”部件号
没有空气流动
为1m / s气流
民
–10
–40
—
—
典型值
—
—
32
28
最大
85
°C
85
—
° C / W
—
单位
电源电压
V
EE
电源电压
对于IEEE 802.3af标准（ 15.4 W）的应用程序。
V
EE
V
DD
对于符合IEEE 802.3at （ 30瓦）的应用程序。
–57
–57
3.0
–48
–54
3.3
–45
–51
3.6
V
V
V
DD
电源电压
电源电流
V
EE
电源电流
在所有端口上，不包括负载电流。
I
EE
I
DD
在关断模式下，所有端口
—
—
—
3.7
1
8
6.0
mA
2
14
mA
V
DD
电源电流
*注意：
建模与六个部分均匀分布的一个30 ×120 mm2时，四层板25散热孔为VNEG平面上
回来了。
表3. UVLO和复位规格
描述
V
DD
复位门限
V
DD
上电斜
*
RST输入高电压
RST输入低电压
RST输入漏
复位时间延迟
复位有效时间
V
EE
监测精度
V
EE
UVLO阈值
V
UVLO
T
RSTdly
T
RST
V
EEMON
RST = 0 V
复位和begin-结束之间的时间
正常运行宁
RST低的时间来产生系统
RESET
测得V
EE
相对于实际的V
EE
对于V
EE
（ -44至-57 V）
点上VEE是UVLO
声明。
VEE变负
VEE要积极
符号
V
RST
从0 V逐渐升高至3.0 V
测试条件
民
—
—
0.7× V
DD
—
—
—
15
–4
典型值
2.2
—
—
—
—
—
—
—
最大
—
1
—
0.8
40
100
—
4
单位
V
ms
V
V
μA
ms
μs
%
–38
—
–36
–33
—
–31
V
*注意：
如果VDD上升时间低于1毫秒，按住复位引脚为低电平，直到VDD高于3.0V，以确保正确复位
操作。
1.0版
5
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
