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SI4010-B1-GS 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SI4010-B1-GS
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内容描述: 无晶体SOC射频发射器 [CRYSTAL-LESS SOC RF TRANSMITTER]
分类和应用: 晶体射频
文件页数/大小: 160 页 / 803 K
品牌: SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
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Si4010
(PVT) ,以保持其品质因数(Q)接近恒定,在50 ( 434兆赫) 。 9位的初始值
电容字( XREG PA_CAP )选择与计算器的电子表格的帮助。在一般情况下,高
操作频率时,需要一个较小的电容,因此较低的值的电容字。输出
PA的电阻是电容单词的强函数,因为可变电容器是imple-
mented用电容器和MOS开关。当更多的电容被接通(高电容的字) ,
多个开关导通,并与一个常量Q设计,功率放大器的输出电阻减小,并具有
更多的损失。因此,另一个考虑的标称电容词除了工作频率为
变容二极管的电阻性负载如何影响最佳负载电阻和所需的天线
性。该计算器演示了如何电容字的标称值会影响预期的
天线阻力。
除了用于调整天线谐振的算法,软件控制循环中使用的
功率放大模块的API可以保持发射辐射功率恒定,由于温度变化
和/或电容的天线。例如,如果改变变送器的温度和/或
天线的电容引起的负载的阻抗( PA的并联组合,并
天线阻力)减小,这将导致在PA和因此输出电压的降低
辐射功率。两者的操作温度和电容器的调谐字是由芯片监测
并且可以用来增加额定驱动电流,以使输出电压和驱动器的产物
电容回它是什么之前,对环境的变化。为了使这种循环操作cor-
rectly ,该参数α和β必须从测量天线特性来确定。
阿尔法表示bLevel所需的变化(通过API编程的额定功率电平
温度接口)给出的变化。贝塔代表bLevel要求的变化给出变化
编程驱动电容。请记住,每个LSB变化bLevel相当于0.25 dBm的
改变的力量。例如,如果实验测量表明,由辐射功率的变化
1 dBm的过在温度50℃的变化,α-将被设置为50分之4 = 0.08 。在本阿尔法方程中, 4
从每步进1 dBm / 0.25 dBm的在bLevel而得。因此,阿尔法的单位是(LSB步
bLevel ) / (在温度变化)。测试可以通过迫使外部天线电容来改变被测量
由一些少量并测量调谐电容的相应变化和辐射
力。例如,如果天线电容器是由5%的变化,可以看出,所得到的电容器字
由30个LSB和功率下降了2dBm的改变。在这种情况下,测试将被计算为
8月30日= 0.27 ,并具有( LSB在bLevel步骤)的单位/ ( LSB电容器字步) 。这两个参数
可以测量并输入作为参数的API来提供精确调整的辐射
力。除了这些参数, PA的差动峰值电压和电流驱动器不应
使用这个循环,以便在当前的驱动器的调整,从而影响到差动峰之前最大化
电压时,可以通过反馈回路来进行。如果电流或电压被使用之前,最大化
环,该环将不能进一步调节电流或电压,从而无法正常运行。
修订版0.5
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