Si4136/Si4126
表5的RF和IF频率合成器特性
(V
DD
=
2.7
至3.6 V ，T
A
= -40〜 85 ℃）下
参数
1
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
XIN输入频率
XIN输入频率
参考灵敏度放大器
鉴相器更新频率
f
REF
f
REF
V
REF
f
XINDIV2 = 0
XINDIV2 = 1
2
25
0.5
—
—
—
—
25
50
V
DD
+0.3 V
1.0
兆赫
兆赫
V
PP
兆赫
f
= f
REF
/ R为
XINDIV2 = 0
f
= f
REF
/ 2R的
XINDIV2 = 1
0.010
RF1 VCO调谐范围
2
RF2 VCO调谐范围
2
IF VCO中心频率范围
IFOUT调谐范围从步骤f
CEN
IFOUT VCO调谐范围从步骤f
CEN
RF1 VCO推
RF2 VCO推
IF VCO推
RF1 VCO牵引
RF2 VCO牵引
IF VCO牵引
RF1相位噪声
RF1积分相位误差
RF2相位噪声
RF2积分相位误差
中频相位噪声在800 MHz的
如果使用集成相位误差
1 MHz偏移
100赫兹至100千赫兹
1 MHz偏移
100赫兹至100千赫兹
100 kHz偏置
100赫兹至100千赫兹
VSWR = 2 ：1，所有
阶段，开环
f
CEN
与IFDIV
注释：L ±10％
开环
2300
2025
526
62.5
–5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.75
0.65
0.10
0.250
0.100
0.025
–130
1.2
–131
1.0
–104
0.4
2500
2300
952
1000
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
%
兆赫/ V
兆赫/ V
兆赫/ V
MHz的P-P
MHz的P-P
MHz的P-P
dBc的/赫兹
度
RMS
dBc的/赫兹
度
RMS
dBc的/赫兹
度
RMS
注意事项：
1.
f
射频（RF） = 1兆赫中，f
（IF） = 1 MHz时， RF1 = 2.4千兆赫， RF2 = 2.1千兆赫， IFOUT = 800兆赫， LPWR = 0，对于所有参数
除非另有说明。
2.
RF VCO调谐范围限制是固定的内部合线电感。
3.
从通电请求（ PWDN ↑或SEN ↑注册2写1至位PDIB和PDRB期间）到RF和IF
合成器准备好（在0.1 ppm的频率误差来解决） 。
4.
从断电请求（ PWDN ，或SENduring 0至位PDIB注册2写和PDRB ）供应电流
等于我
PWDN
.
8
修订版1.41
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
