Si4430/31/32-B1
表6.数字IO规格（ SDO ， SDI ， SCLK ， NSEL ，并NIRQ ）
参数
上升时间
下降时间
输入电容
逻辑高电平输入电压
逻辑低电平输入电压
输入电流
逻辑高电平输出
电压
逻辑低电平输出电压
符号
T
上升
T
秋天
C
IN
V
IH
V
IL
I
IN
V
OH
V
OL
0<V
IN
＆ LT ; V
DD
I
OH
<1毫安源，V
DD
=1.8 V
I
OL
<1毫安水槽，V
DD
=1.8 V
–100
V
DD
– 0.6
—
条件
0.1× V
DD
以0.9× V
DD
, C
L
= 5 pF的
0.9× V
DD
以0.1× V
DD,
C
L
= 5 pF的
民
—
—
—
V
DD
– 0.6
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
8
8
1
—
0.6
100
—
0.6
单位
ns
ns
pF
V
V
nA
V
V
注意：
保障的资格，所有规格。鉴定试验条件列于"Production测试Conditions"
第14页上。
表7. GPIO规范（ GPIO_0 ， GPIO_1和GPIO_2 ）
参数
上升时间
下降时间
输入电容
逻辑高电平输入电压
逻辑低电平输入电压
输入电流
输入电流若拉是激活
最大输出电流
符号
T
上升
T
秋天
C
IN
V
IH
V
IL
I
IN
I
INP
I
OmaxLL
I
OmaxLH
I
OmaxHL
I
OmaxHH
逻辑高电平输出电压
逻辑低电平输出电压
V
OH
V
OL
0<V
IN
＆ LT ; V
DD
V
IL
=0 V
DRV<1 ： 0> = LL
DRV<1 ： 0> = LH
DRV<1 ： 0> = HL
DRV<1 ： 0> = HH
I
OH
＆ LT ;我
OMAX
源，
V
DD
=1.8 V
I
OL
＆ LT ;我
OMAX
水槽，
V
DD
=1.8 V
条件
0.1× V
DD
以0.9× V
DD
,
C
L
= 10 pF的， DRV<1 ： 0> = HH
0.9× V
DD
以0.1× V
DD,
C
L
= 10 pF的， DRV<1 ： 0> = HH
民
—
—
—
V
DD
– 0.6
—
–100
5
0.1
0.9
1.5
1.8
V
DD
– 0.6
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
0.5
2.3
3.1
3.6
—
—
0.6
100
25
0.8
3.5
4.8
5.4
—
0.6
最大
8
8
1
单位
ns
ns
pF
V
V
nA
µA
mA
mA
mA
mA
V
V
注意：
保障的资格，所有规格。鉴定试验条件列于"Production测试Conditions"
第14页上。
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版本1.1
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
