Si4430/31/32-B1
8.6 。唤醒定时器和32 kHz的时钟源
该芯片包含一个集成的唤醒定时器，可用于定期从睡眠模式唤醒芯片。
唤醒定时器从内部的32.768 kHz RC振荡器运行。唤醒定时器可以被配置为运行
在休眠模式下。如果enwt = 1 "Register 07H 。在进入休眠时的操作模式和功能控制1"
模式，唤醒定时器计数指定的寄存器14-16h ， "Wake延时定时器Period."在定义的时间
这一时期的中断将在NIRQ引脚上产生，如果启用此中断到期。该
然后，微控制器需要通过读取寄存器03H - 04H验证中断， "Interrupt状态1 & 2".的
唤醒定时器的值可以在任何时候读取的WTV [ 15 ： 0 ]只读寄存器17H - 18H 。
是计算公式的唤醒周期如下：
4
M
2
R
武汉理工大学
�½
ms
32 .768
武汉理工大学注册
WTR [4 ：0]的
WTM [15 ：0]的
描述
在通式为R值
公式中的m值的
如果需要比可通过使用可以实现更精细的分辨率使用式中的D变量的仅需要
R值。
加入R / W功能/说明
14
15
16
17
18
读/写
读/写
读/写
R
R
唤醒定时器周期1
唤醒定时器周期2
唤醒定时器周期3
唤醒定时器值1
唤醒定时器的值2
D7
D6
D5
D4
wtr[4]
D3
wtr[3]
D2
wtr[2]
D1
wtr[1]
D0
wtr[0]
POR默认值。
03h
00h
00h
—
—
WTM [15] WTM [14] WTM [13] WTM [12] WTM [11] WTM [10] WTM [9] WTM [8]
wtm[7]
wtv[15]
wtv[7]
wtm[6]
wtv[14]
wtv[6]
wtm[5]
wtv[13]
wtv[5]
wtm[4]
wtv[12]
wtv[4]
wtm[3]
wtv[11]
wtv[3]
wtm[2]
wtv[10]
wtv[2]
WTM [1] WTM [0]
wtv[9]
wtv[1]
wtv[8]
wtv[0]
如果WUT中断被允许有两种不同的方法，用于利用根据所述唤醒定时器（ WUT ）
在“注册06H 。中断使能2. “如果WUT中断使能则NIRQ引脚变为低电平时，定时器
过期。使得30兆赫的XTAL被启用，使得芯片也将改变状态的微控制器时钟
输出可用于微控制器用于处理该中断。使用的另一种方法是不使
在WUT中断，并使用WUT GPIO设置。在这种操作模式下，芯片将不会改变状态，直到
由单片机指令。操作WUT和消耗电流的各种模式
影响是展示在图29中。
一个32千赫的XTAL也可以用于更好的定时精度。通过设置寄存器07H "Operating的X32 ksel位
&功能控制1" ， GPIO0自动重新配置以使外部的32 kHz XTAL可以被连接到
该引脚。在这种模式下， GPIO0是寄生电容非常敏感，因此，只有从XTAL应
连接到该引脚与XTAL物理位置尽量靠近引脚放置。一旦所述的X32 ksel位被置位，
所有内部功能如WUT ，微控制器的时钟，和LDC模式将使用32千赫的XTAL ，而不是
32 kHz的RC振荡器。
在32 kHz XTAL精度是由两个的XTAL参数和内部电路。该XTAL精度
可以被定义为从内部的XTAL初始误差+ XTAL老化+ XTAL温度漂移+失谐
振荡器电路。造成的内部电路的错误通常是低于10ppm 。
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版本1.1
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
