Si5367
表1.性能规格
(V
DD
= 1.8或2.5伏±10％ ，T
A
= -40〜 85 ℃）下
参数
温度范围
电源电压
电源电流
符号
T
A
V
DD
I
DD
测试条件
民
–40
2.25
1.62
典型值
25
2.5
1.8
394
最大
85
2.75
1.98
435
单位
ºC
V
V
mA
f
OUT
= 622.08兆赫
所有CKOUTs启用
LVPECL输出格式
只有CKOUT1启用
f
OUT
= 19.44 MHz的
所有CKOUTs启用
CMOS输出格式
只有CKOUT1启用
三态/休眠模式
—
—
—
253
278
284
321
mA
mA
—
—
10
229
待定
—
261
待定
707.35
mA
mA
兆赫
输入时钟频率
（ CKIN1 ， CKIN2 ， CKIN3 ，
CKIN4)
输出时钟频率
（ CKOUT1 ， CKOUT2 ，
CKOUT3 ， CKOUT4 ，
CKOUT5)
CK
F
CK
OF
输入频率和时钟
乘法比决定
通过编程器PLL
分频器。咨询硅Labo-
ratories组态软件
DSPLLsim或任意频率精密度
锡安时钟系列参考
在手册
确定PLL分频
设置为一个给定的输入频率
昆西/时钟乘法
比例组合。
10
970
1213
—
—
—
945
1134
1417
兆赫
输入时钟（ CKIN1 ， CKIN2 ， CKIN3 ， CKIN4 ）
差分电压摆幅CKN
民进党
共模电压
上升/下降时间
占空比
CKN
VCM
CKN
TRF
CKN
DC
1.8 V ±10%
2.5 V ±10%
20–80%
以较低者为准
0.25
0.9
1.0
—
40
50
输出时钟（ CKOUT1 ， CKOUT2 ， CKOUT3 ， CKOUT4 ， CKOUT5 ）
共模
差分输出摆幅
单端输出
摇摆
V
OCM
V
OD
V
SE
LVPECL
100
Ω
负载
线对线
V
DD
–
1.42
1.1
0.5
—
—
—
V
DD
–
1.25
1.9
0.93
V
V
V
—
—
—
—
—
—
1.9
1.4
1.7
11
60
V
PP
V
V
ns
%
ns
注意：
对于设备的规格更全面的列表，请参阅Silicon Laboratories的任意频率精密
时钟系列参考手册。此文件可从以下网址下载
2
初步修订版0.3
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
