Si823x
0.5
和
4 . 0 A
MP
我S 0
，D R I V ê R 5
(2.5
和
5
K
V
RMS
)
特点
引脚分配
两个完全隔离的驱动器
60 ns的最大传播
在一个封装中
延迟
高达5 kV
RMS
输入 - 输出
独立HS和LS输入或
PWM输入版本
隔离
高达1500 V
DC
峰值驱动程序用于─
瞬变抗扰度>30 KV / μs的
驱动差分电压
重叠保护和
HS / LS和双驱动程序版本
可编程死区时间
高达8 MHz的开关频率
工作温度范围
0.5 A峰值输出（ Si8230 / 1/ 2）
-40至+125°C
4.0峰值输出（ Si8233 / 4 /5/ 6）
UL / VDE / CSA认证
符合RoHS标准
SOIC -16 （宽）
通过
VIB
VDDI
GNDI
关闭
DT
NC
VDDI
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
VDDA
VOA
GNDA
NC
NC
VDDB
VOB
GNDB
Si8230
Si8233
13
12
11
10
9
应用
SOIC -16 （窄）
通过
1
2
3
16
15
14
VDDA
VOA
GNDA
NC
NC
VDDB
VOB
GNDB
电力输送系统
电机控制系统
隔离式DC -DC电源
照明控制系统
等离子显示器
太阳能和工业逆变器
VIB
VDDI
GNDI
关闭
4
Si8230
13
5
6
7
8
Si8233
12
11
10
9
描述
该Si823x隔离驱动器系列结合了两个独立的，孤立的
司机在单一封装中。该Si8230 / 1 /3/4为高侧/低侧
驱动程序和Si8232 / 5/6是双驱动器。版本，峰值输出
0.5 A（ Si8230 / 1/ 2）和4.0中的电流（ Si8233 / 4 /5/ 6）可用。所有
司机与24 V的最大电源电压下工作
该Si823x驱动器采用Silicon Labs公司自主研发的硅隔离
技术，该技术提供了高达5 kV
RMS
每UL1577耐压，
快速的60 ns的传播时间。驱动器输出可以被接地到
相同或不同的理由或连接到一个正的或负的电压。
在可用的TTL电平兼容的输入， >400 mV的磁滞
单独的控制输入（ Si8230 / 2/3 /5/ 6）或PWM输入（ Si8231 / 4）
配置。高集成度，低传输延时小的安装
尺寸，灵活性和成本效益使Si823x家庭理想的
宽范围的隔离MOSFET / IGBT的栅极驱动器的应用程序。
DT
NC
VDDI
LGA- 14 （5× 5mm）的
GNDI
通过
VIB
VDDI
关闭
DT
VDDI
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
VDDA
VOA
GNDA
NC
VDDB
VOB
GNDB
Si8230
Si8233
11
10
7
8
专利正在申请中
安全认证
UL 1577认可
Up
VDE认证合格
IEC
到5000 Vrms的1分钟
CSA组件5A的通知
赞同
IEC
60747-5-2 （ VDE 0884第2部分）
EN 60950 （加强绝缘）
（申请中）
60950, 61010, 60601
（加强绝缘）
修订版0.3 4/10
版权所有© 2010 Silicon Laboratories公司
Si823x
此信息适用于正在研发的产品。其特点和规格如有变更，恕不另行通知。
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