Si823x
表2.绝对最大额定值
1
参数
储存温度
2
在偏置环境温度
输入侧的电源电压
驾驶员侧电源电压
电压的任何引脚对地
每个通道的输出驱动电流
无铅焊锡温度（ 10秒）
最大隔离（输入到输出） （ 1秒）
WB SOIC -16
最大隔离（输出到输出） （ 1秒）
WB SOIC -16
最大隔离（输入到输出） （ 1秒）
NB SOIC -16
最大隔离（输出到输出） （ 1秒）
NB SOIC -16
最大隔离（输入到输出） （ 1秒）
14 LD LGA没有散热垫
最大隔离（输出到输出） （ 1秒）
14 LD LGA没有散热垫
最大隔离（输入到输出） （ 1秒）
14 LD LGA及导热垫
最大隔离（输出到输出） （ 1秒）
14 LD LGA及导热垫
符号
T
英镑
T
A
VDDI
VDDA ， VDDB
VIN
I
O
民
–65
–40
–0.6
–0.6
–0.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
+150
+125
6.0
30
VDD + 0.5
10
260
6500
2500
4250
2500
3850
650
1850
0
单位
°C
°C
V
V
V
mA
°C
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
注意事项：
1.
如果绝对最大额定值超过可能出现永久性损坏设备。功能操作应
仅限于在本数据表的业务部门规定的条件。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
2.
VDE认证范围为-40 〜150 ℃的储存温度。
表3.法规信息*
CSA
该Si823x是根据CSA元件验收通知5A认证。有关详细信息，请参阅文件232873 。
VDE
该Si823x是根据IEC 60747-5-2认证。有关详细信息，请参阅文件5006301-4880-0001 。
UL
该Si823x是根据UL1577组件识别程序认证。有关详细信息，请参阅文件E257455 。
*注意：
规范认证适用于1.5千伏
RMS
额定设备这是生产测试，以1.8千伏
RMS
为1秒。
规范认证适用于2.5千伏
RMS
额定设备这是生产测试，以3.0千伏
RMS
为1秒。
规范认证适用于3.75千伏
RMS
额定设备这是生产测试，以4.5千伏
RMS
为1秒。
规范认证适用于5.0千伏
RMS
额定设备这是生产测试，以6.0千伏
RMS
为1秒。
欲了解更多信息，请参阅第37页上的"9.Ordering Guide" 。
10
修订版0.3
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
