Si8430/31/35
表4.电气特性(续)
(V
DD1
= 3.3 V ±10%, V
DD2
= 3.3 V± 10 % ,T
A
= -40〜 125 ºC ;适用于窄和宽体SOIC封装)
参数
Si843xBx
最大数据速率
最小脉冲宽度
传播延迟
脉冲宽度失真
|t
PLH
- t
PHL
|
传播延迟偏斜
2
通道间的偏移
所有型号
输出上升时间
输出下降时间
共模瞬变
免疫
启用到数据有效
3
启用以数据三态
3
启动时间
3,4
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
0
—
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK( P-P )
t
PSK
C
L
= 15 pF的
见图2
C
L
= 15 pF的
见图2
V
I
= V
DD
或0 V
见图1
见图1
见图2
见图2
3.0
—
—
—
—
—
6.0
1.5
2.0
0.5
150
6.0
9.5
2.5
3.0
1.8
Mbps的
ns
ns
ns
ns
ns
t
r
t
f
CMTI
t
en1
t
en2
t
SU
—
—
—
—
—
—
4.3
3.0
25
5.0
7.0
15
6.1
4.3
—
8.0
9.2
40
ns
ns
KV / μs的
ns
ns
µs
注意事项:
1.
隔离器驱动信道的标称输出阻抗是约85
,
± 40%,这是一个组合
该输出驱动FET的芯片上串联端接电阻和沟道电阻的值。当驱动负载
那里的传输线效应将是一个因素,输出引脚应适当封端的具有受控
阻抗PCB走线。
2.
t
PSK( P-P )
在传播延迟时间的差的大小,在操作不同的单元之间测量
相同的电源电压,负载和环境温度。
3.
请参阅第25页上的"3.勘误和设计移植Guidelines"了解更多详情。
4.
启动时间是从功率的应用,以有效的数据在输出端上的时间周期。
REV 。 1.5
11