Si8430/31/35
表3.电气特性（续）
(V
DD1
= 5 V ±10%, V
DD2
= 5 V± 10 ％ ，T
A
= -40〜 125 ºC ;适用于窄和宽体SOIC封装）
参数
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
100 Mbps的电源电流
（所有输入= 50 MHz的方波， CI = 15 pF的所有输出）
Si8430Bx ， Si8435Bx
V
DD1
V
DD2
Si8431Bx
V
DD1
V
DD2
时序特性
Si843xAx
最大数据速率
最小脉冲宽度
传播延迟
脉冲宽度失真
|t
PLH
- t
PHL
|
传播延迟偏斜
通道间的偏移
Si843xBx
最大数据速率
最小脉冲宽度
传播延迟
脉冲宽度失真
|t
PLH
- t
PHL
|
传播延迟偏斜
通道间的偏移
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK（ P-P ）
t
PSK
见图2
见图2
0
—
3.0
—
—
—
—
—
6.0
1.5
2.0
0.5
150
6.0
9.5
2.5
3.0
1.8
Mbps的
ns
ns
ns
ns
ns
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK（ P-P ）
t
PSK
见图2
见图2
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.0
250
35
25
40
35
Mbps的
ns
ns
ns
ns
ns
—
—
—
—
2.9
14.3
7.0
11.0
4.4
17.9
8.8
13.8
mA
mA
注意事项：
1.
隔离器驱动信道的标称输出阻抗是约85
,
± 40％，这是一个组合
该输出驱动FET的芯片上串联端接电阻和沟道电阻的值。当驱动负载
那里的传输线效应将是一个因素，输出引脚应适当封端的具有受控
阻抗PCB走线。
2.
t
PSK（ P-P ）
在传播延迟时间的差的大小，在操作不同的单元之间测量
相同的电源电压，负载和环境温度。
3.
请参阅第25页上的"3.勘误和设计移植Guidelines"了解更多详情。
4.
启动时间是从功率的应用，以有效的数据在输出端上的时间周期。
6
REV 。 1.5
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
