Si8440/41/42/45
表3.电气特性（续）
(V
DD1
= 5 V ±10%, V
DD2
= 5 V± 10 ％ ，T
A
= -40〜 125 ºC ;适用于窄和宽体SOIC封装）
参数
Si8440Bx ， Si8445Bx
V
DD1
V
DD2
Si8441Bx
V
DD1
V
DD2
Si8442Bx
V
DD1
V
DD2
Si8440Bx ， Si8445Bx
V
DD1
V
DD2
Si8441Bx
V
DD1
V
DD2
Si8442Bx
V
DD1
V
DD2
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
10 Mbps的电源电流
（所有输入= 5 MHz的方波， CI = 15 pF的所有输出）
—
—
—
—
—
—
3.6
4.0
3.7
4.1
4.2
4.2
5.4
5.6
5.5
5.7
5.9
5.9
mA
mA
mA
100 Mbps的电源电流
（所有输入= 50 MHz的方波， CI = 15 pF的所有输出）
—
—
—
—
—
—
时序特性
Si844xAx
最大数据速率
最小脉冲宽度
传播延迟
脉冲宽度失真
|t
PLH
- t
PHL
|
传播延迟偏斜
通道间的偏移
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK（ P-P ）
t
PSK
见图2
见图2
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.0
250
35
25
40
35
Mbps的
ns
ns
ns
ns
ns
3.8
19.4
8.0
15.8
11.8
11.8
5.7
24.3
10
19.8
14.8
14.8
mA
mA
mA
注意事项：
1.
隔离器驱动信道的标称输出阻抗是约85
,
± 40％，这是一个组合
该输出驱动FET的芯片上串联端接电阻和沟道电阻的值。当驱动负载
那里的传输线效应将是一个因素，输出引脚应适当封端的具有受控
阻抗PCB走线。
2.
t
PSK（ P-P ）
在传播延迟时间的差的大小，在操作不同的单元之间测量
相同的电源电压，负载和环境温度。
3.
请参阅第25页上的"3.勘误和设计移植Guidelines"了解更多详情。
4.
启动时间是从功率的应用，以有效的数据在输出端上的时间周期。
6
REV 。 1.5
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
