Si8440/41/42/45
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特点
高速运行
DC
高达2500 V
RMS
隔离
60年的生命,在额定工作
无需开机初始化
电压
宽工作电源电压:
精确定时(典型值)
2.70–5.5 V
<10 NS最坏的情况下
宽工作电源电压:
1.5纳秒的脉冲宽度失真
2.70–5.5V
0.5 ns的通道间的偏移
2 ns传播延迟偏差
超低功耗(典型值)
6 ns的最小脉冲宽度
5 V工作:
瞬态抗扰度25 KV / μs的
每通道< 1.6毫安在1 Mbps的
每个通道< 6毫安速率为100 Mbps
AEC- Q100认证
2.70 V工作:
工作温度范围宽
& LT ;
以150 Mbps的
在1Mbps的每通道1.4毫安
-40至125℃ ,在150 Mbps的
每通道< 4毫安速率为100 Mbps
RoHS兼容封装
高电磁抗扰度
SOIC -16宽体
SOIC -16窄体
应用
工业自动化系统
混合动力电动汽车
隔离开关模式电源
隔离式ADC , DAC
电机控制
电源逆变器
通信系统
订货信息:
参见第27页。
安全管理机构认证
UL 1577认可
Up
VDE认证合格
IEC
到2500 V
RMS
1分钟
CSA组件5A的通知
赞同
IEC
60747-5-2
( VDE0884第2部分)
60950-1, 61010-1
(增强
保温)
描述
硅实验室的系列超低功耗数字隔离器CMOS
设备提供了大量的数据传输速率,传输延迟,功耗,尺寸,
相比于传统的可靠性和外部BOM的优势
隔离技术。这些产品的操作参数
保持稳定跨越很宽的温度范围内其整个
使用寿命。为了简化设计,只有VDD旁路电容是
所需。
数据传输速率高达150 Mbps的支持,并且所有设备实现
小于10纳秒的最坏情况下的传播延迟。所有产品均
安全性通过UL认证, CSA和VDE和支持耐受电压
高达2.5kVrms的。这些器件采用16引脚宽和
窄体SOIC封装。
修订版1.5 3/12
版权所有©2012 Silicon Laboratories公司
Si8440/41/42/45