Si85xx
1.电气连接特定的阳离子
表1.电气规格
TA = -40至+85 ºC （25 ºC的典型指定） ， VDD = 2.7〜 5.5 V
参数
电源电压（V
DD
)
电源电流
欠压锁定（V
UVLO
)
欠压闭锁滞后
(V
HYST
)
逻辑输入高电平
逻辑输入低电平
复位时间（t
R
)
R1，R2， R3，R4输入上升时间（叔
RR
)
R1，R2， R3，R4输入下降时间（叔
FR
)
测量看门狗超时（T
WD
)
串联输入电阻
串联电感
输入/输出延迟
启动自动校准延迟（T
CAL
)
输入共模电压范围
操作输入频率范围（F ）
直流电源抑制比
灵敏度
条件
民
2.7
典型值
—
4
2.3
100
—
—
—
—
—
50
1.3
2
50
150
—
—
80
400
200
100
10
50
最大
5.5
7
2.5
—
—
0.8
—
30
30
80
—
—
100
200
1,000
1,200
—
—
—
—
—
—
30
单位
V
mA
V
mV
V
V
ns
ns
ns
µs
mΩ
nH
ns
µs
V
千赫
db
毫伏/ A
毫伏/ A
毫伏/ A
mV
V / μs的
Ω
%
%
%
完全启用，输入频率=
1兆赫
—
2.1
—
方式中，R 1 ， R 2， R 3 ，R 4的输入
（ TTL兼容）
2.0
—
250
—
—
30
从测量到IIN IOUT
从测量到IIN IOUT
输出， OUT1，OUT2的延迟相
输入
从VDD = V时代
UVLO
+ V
HYST
to
校准完成
—
—
—
—
—
50
—
Si85x1/4/7
Si85x2/5/8
Si85x3/6/9
—
—
—
—
—
20
OUT ， OUT1 ，OUT2失调电压
(V
outmin
)
VOUT摆率
OUT ， OUT1 ， OUT2输出电阻
测量误差（ ％ ） - 所有设备
（ -40至85°C温度范围）
从我目前的流
IN
到我
OUT
= 0
OUT ， OUT1 ， OUT2负载= 5K || 50 pF的
5 ％至10％的满刻度
10 ％至20％的满刻度
20至100％的满刻度
–20
–10
–5
—
—
—
+20
+10
+5
4
初步修订版0.1
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
