2SB229100MA 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB229100MA
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内容描述：	低IR肖特基二极管芯片 [LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS]
分类和应用：	肖特基二极管
文件页数/大小：	1 页 / 20 K
品牌：	SILAN [ SILAN MICROELECTRONICS JOINT-STOCK ]

2SB229100MA

2SB229100MA低I

肖特基二极管芯片

描述

2SB229100MA是一个肖特基势垒二极管芯片

由于特殊的肖特基势垒结构，所述

芯片

具有非常低的反向漏电流（典型值

= 0.002毫安在Vr = 100V ）和最大150℃

工作结点温度;

低功率损耗，效率高;

保护环结构的瞬态保护;

高ESD能力;

高浪涌能力;

包装的产品被广泛应用于开关

电源供应器，极性保护电路等

其它电子电路;

芯片尺寸： 2290μm X 2290μm ;

芯片厚度： 280 ± 20μm左右;

对客户两个顶级侧电极材料

选择，详细请参考订货的规格。

2SB229100MAYL

产品名称

2SB229100MAYY

规范

对于轴向引线封装

对于Au和铝硅引线键合

包

芯片地形和尺寸

LA：芯片尺寸： 2290毫米;

LB ：垫尺寸： 2195毫米;

订货说明

绝对最大额定值

参数

最大重复峰值反向电压

正向平均整流电流

峰值正向浪涌Current@8.3ms

最高工作结温

存储温度范围

符号

RRM

FAV

FSM

英镑

评级

100

150

-40~150

单位

°C

电气特性（T

AMB

=25 )

参数

反向电压

正向电压

反向电流

符号

测试条件

=0.5mA

=10A

=100V

分钟。

100

马克斯。

0.85

0.5

单位

杭州士兰微电子股份有限公司

HTTP ： www.silan.com.cn

REV ： 1.0

2007.04.27

第1页1

在制造硅外延平面技术;

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