3VD037060NEJL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	3VD037060NEJL
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内容描述：	带ESD保护的建筑物N-CH MOSFET CHIPS [N-CH MOSFET CHIPS WITH ESD PROTECTED STRUCTURE]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 121 K
品牌：	SILAN [ SILAN MICROELECTRONICS JOINT-STOCK ]

3VD037060NEJL

结构

描述

3VD037060NEJL是一个N沟道增强模式

MOS -FET芯片制造中先进的硅

外延平面技术。

齐纳二极管的ESD保护可达500V （ HBM ）。

高密度电池设计低RDS（ON ）。

坚固可靠。

快速开关性能。

高饱和电流能力。

该芯片可以被包装在SOT- 23型。

包装的产品被广泛使用，在小

伺服电机控制，功率MOS -FET的栅极驱动器，

等开关应用。

模具尺寸： 0.37毫米* 0.37毫米。

芯片厚度： 230 ± 20μm左右。

顶部金属：铝，背面金属：金。

等效电路

芯片地形

N沟道

MOSFET

芯片

同

ESD

保护

绝对最大额定值

AMB

=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流--Plused *

功耗（ SOT -23 ）

工作结温

储存温度

符号

TSTG

评级

±20

100

600

200

150

-55-150

单位

°C

注： *重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。

电气特性

AMB

=25°C)

参数

漏源击穿电压

栅极阈值电压*

门体漏

零栅极电压漏极电流

漏源导通电阻*

符号

（ BR ） DSS

日（ GS ）

GSS

DSS

DS （ ON）

测试条件

= 0V时，我

=10µA

= V

, I

=250µA

=0V, V

=±20V

=60V, V

=0V

= 5.0V ，我

=100mA

= 10V ，我

=100mA

分钟。

1.2

典型值。

马克斯。

2.0

±5

单位

µA

Ω

杭州士兰微电子股份有限公司

HTTP ： www.silan.com.cn

REV ： 1.1

2008.10.15

第1页1

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