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型号: 3VD060060NEJL
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内容描述: 带ESD保护的建筑物的N沟道MOSFET CHIPS [NCH MOSFET CHIPS WITH ESD PROTECTED STRUCTURE]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 32 K
品牌: SILAN [ SILAN MICROELECTRONICS JOINT-STOCK ]
   
3VD060060NEJL
带ESD保护的建筑物3VD060060NEJL N-CH MOSFET CHIPS
描述
Ø
3VD060060JL是一个N沟道增强模式
MOS -FET芯片制造先进的硅外延
平面技术。
Ø
Ø
Ø
Ø
Ø
Ø
Ø
齐纳二极管的ESD保护可达2KV
高密度电池设计低R
DS
(上)
坚固可靠。
快速开关性能。
高饱和电流能力。
该芯片可采用SOT-23封装类型和包装
典型的同类产品是2N7002K 。
包装的产品被广泛应用于小型伺服
马达控制,功率MOS - FET的栅极驱动器,以及其他
开关应用。
Ø
Ø
Ø
模具尺寸: 0.60毫米* 0.60毫米。
芯片厚度: 230 ± 20μm左右。
顶部金属:铝,背面金属:金。
芯片地形
等效电路
绝对最大额定值(T
AMB
=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
功耗( SOT -23 )
工作结温
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
J
TSTG
评级
60
±20
300
350
150
-55-150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性(T
AMB
=25°C)
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压*
门体漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻*
符号
V
( BR ) DSS
V
日( GS )
l
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=10µA
V
DS
= V
GS
, I
D
=250µA
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
GS
= 10V ,我
D
=500mA
V
GS
= 5V ,我
D
=50mA
60
1
典型值
最大
单位
V
µA
µA
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
2.5
±10
1
2.0
3.0
注: *脉冲测试,脉冲宽度300μS ,占空比2 %
杭州士兰微电子股份有限公司
HTTP : www.silan.com.cn
REV : 1.0
2007.09.03
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