3VD156600YL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	3VD156600YL
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内容描述：	高压MOSFET CHIPS [HIGH VOLTAGE MOSFET CHIPS]
分类和应用：	高压
文件页数/大小：	1 页 / 74 K
品牌：	SILAN [ SILAN MICROELECTRONICS JOINT-STOCK ]

3VD156600YL

3VD156600YL高压MOSFET CHIPS

描述

3VD156600YL是高电压N沟道增强

模式功率MOS -FET芯片制造中先进的硅

外延平面技术。

先进的终止方案，以提供增强的

电压阻断能力。

较高的雪崩能量。

源极到漏极二极管恢复时间等同于

离散快速恢复二极管

该芯片可在TO- 92DT -3L型和包装

典型的同类产品是1N60SS 。

包装的产品被广泛应用于AC-DC电源

电源，DC -DC转换器，高压H桥PWM电机

驱动程序。

模具尺寸： 1.6毫米* 1.54毫米。

芯片厚度： 300 ± 20μm左右。

顶部金属：铝，背面金属：银。

芯片地形

绝对最大额定值

AMB

=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

工作结温

储存温度

符号

英镑

评级

600

±30

500

150

-55-150

UNI

°C

电气特性

AMB

=25°C)

参数

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

漏源导通电阻

源极 - 漏极二极管正向上

电压

符号

（ BR ） DSS

日（ GS ）

GSS

DSS

DS （ ON）

消防处

测试条件

= 0V时，我

=250μA

= 250μA ，V

=±30V, V

=0V

=600V, V

=0V

= 0.5A ，V

=10V

=0.8A,V

=0V

分钟。

600

2.0

---

典型值。

---

马克斯。

----

4.0

±100

1.0

13.5

1.0

单位

µA

杭州士兰微电子股份有限公司

HTTP ： www.silan.com.cn

REV ： 1.0

2008.10.15

第1页1

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