3VD182600YL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	3VD182600YL
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内容描述：	高压MOSFET CHIPS [HIGH VOLTAGE MOSFET CHIPS]
分类和应用：	高压
文件页数/大小：	1 页 / 28 K
品牌：	SILAN [ SILAN MICROELECTRONICS JOINT-STOCK ]

3VD182600YL

3VD182600YL高压MOSFET CHIPS

描述

3VD182600YL是高电压的N沟道

增强型功率MOS -FET芯片制造

在先进的硅外延平面技术。

先进的终止方案，以提供增强的

电压阻断能力。

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管恢复时间等同于

离散快恢复二极管

该芯片可在TO- 92DT -3L型和包装

典型的同类产品是1N60C 。

包装的产品被广泛应用于AC-DC

开关电源，DC -DC转换器，高压H桥

PWM电机驱动器。

模具尺寸： 1.90毫米* 1.75毫米。

芯片厚度： 300 ± 20μm左右。

顶部金属：铝，背面金属：银。

芯片地形

绝对最大额定值（T

AMB

=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

工作结温

储存温度

符号

VDS

VGS

TSTG

评级

600

±30

800

150

-55-150

单位

电气特性（T

AMB

=25°C)

参数

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

漏源导通电阻

源极 - 漏极二极管正向上

电压

符号

V（ BR ） DSS

VTH （ GS ）

lGSS

IDSS

RDS （ ON）

VFsd

测试条件

ID=250uA

ID = 250uA VDS = VGS

VGS = ± 30V ， VDS = 0V

VDS = 600V ， VGS = 0V

ID = 0.5A ， VGS = 10V

ID=1.0A,VGS=0V

民

600

---

典型值

---

最大

----

±100

1.50

单位

µA

杭州士兰微电子股份有限公司

HTTP ： www.silan.com.cn

REV ： 1.0

2007.08.02

第1页1

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