3VD212800YL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	3VD212800YL
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内容描述：	高压MOSFET CHIPS [HIGH VOLTAGE MOSFET CHIPS]
分类和应用：	高压
文件页数/大小：	1 页 / 21 K
品牌：	SILAN [ SILAN MICROELECTRONICS JOINT-STOCK ]

3VD212800YL

3VD212800YL高压MOSFET CHIPS

描述

3VD212800YL是高电压的N沟道

增强型功率MOS -FET芯片制造

在先进的硅外延平面技术。

先进的终止方案，以提供增强的

电压阻断能力。

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管恢复时间等同于

离散快恢复二极管

该芯片可在TO-220型和包装

典型的同类产品是1N80 。

包装的产品被广泛应用于AC-DC

开关电源，DC -DC转换器，高压H桥

PWM电机驱动器。

模具尺寸： 2.12毫米* 2.02毫米。

芯片厚度： 300 ± 20μm左右。

顶部金属：铝，背面金属：银。

PAD1 ： GATE

PAD3 ： SOURCE

芯片地形

绝对最大额定值（T

AMB

=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

功率耗散（ TO- 220封装）

工作结温

储存温度

符号

TSTG

-55

评级

800

±30

1.0

+150

单位

°C

电气特性（T

AMB

=25°C)

参数

漏极 - 源极击穿电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极漏电流

静态漏源导通状态

阻力

栅极 - 源极漏电流

源极 - 漏极二极管正向上

电压

符号

VDSS

DSS

DS （ ON）

GSS

消防处

测试条件

= 0V时，我

=250

= V

, I

=250µA

=800V, V

=0V

= 10V ，我

=0.5A

=±20V, V

=0V

= 1A ，V

=0V

民

800

典型值

最大

4.5

±10

1.6

单位

µA

Ω

µA

杭州士兰微电子股份有限公司

HTTP ： www.silan.com.cn

REV ： 1.0

2008.05.30

第1页1

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