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型号: 3VD235700YL
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内容描述: 高压MOSFET CHIPS [HIGH VOLTAGE MOSFET CHIPS]
分类和应用: 高压
文件页数/大小: 1 页 / 93 K
品牌: SILAN [ SILAN MICROELECTRONICS JOINT-STOCK ]
   
3VD235700YL
3VD235700YL高压MOSFET CHIPS
描述
3VD235700YL是高电压的N沟道
增强型功率MOS场效应管芯片制造中
先进的硅外延平面技术。
先进的终止方案,以提供增强的
电压阻断能力。
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快速恢复二极管
该芯片可在TO- 251型和典型包装
同等产品是2N70 。
包装的产品被广泛应用于AC-DC电源
电源,DC -DC转换器,高压H桥PWM电机
驱动程序。
模具尺寸: 2.72毫米* 2.06毫米。
芯片厚度: 300 ± 20μm左右。
顶部金属:铝,背面金属:银。
芯片地形
绝对最大额定值
(T
AMB
=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
功率耗散( TO- 251封装)
工作结温
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
J
TSTG
评级
700
±30
2.0
44
-55�½�+150
-55�½�+150
单位
V
V
A
W
°C
°C
电气特性
(T
AMB
=25°C)
参数
漏极 - 源极击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极漏电流
静态漏源导通状态
阻力
栅极 - 源极漏电流
源极 - 漏极二极管正向上
电压
符号
B
VDSS
V
TH
I
DSS
R
DS ( ON)
I
GSS
V
消防处
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250µA
V
GS
= V
DS
, I
D
=250µA
V
DS
=700V, V
GS
=0V
V
GS
= 10V ,我
D
=1.0A
V
GS
=±30V, V
DS
=0V
I
S
= 2.0A ,V
GS
=0V
分钟。
700
2.0
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
4.0
1.0
6.5
±100
1.4
单位
V
V
µA
Ω
nA
V
杭州士兰微电子股份有限公司
HTTP : www.silan.com.cn
REV : 1.0
2008.10.15
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