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    SA482T67K65 参数 Datasheet PDF下载

    SA482T67K65图片预览
    型号： SA482T67K65
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 带有内置MOSFET的PWM控制器 [PWM CONTROLLER WITH BUILTIN MOSFET]
    分类和应用： 控制器
    文件页数/大小： 6 页 / 122 K
    品牌： SILAN [ SILAN MICROELECTRONICS JOINT-STOCK ]
     浏览型号SA482T67K65的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SA482T67K65的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SA482T67K65的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SA482T67K65的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SA482T67K65的Datasheet PDF文件第6页  
    SA482X67K65
    电气特性
    （感应MOSFET部分，除非另有说明，T
    AMB
    =25°C)
    特征
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    静态漏源
    阻力
    正向跨导
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    打开延迟时间
    上升时间
    关闭延迟时间
    下降时间
    总栅极电荷
    （栅极 - 源+栅极 - 漏极）
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    符号
    BV
    DSS
    I
    DSS
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =50µA
    V
    DS
    =最大。 V
    GS
    =0V
    V
    DS
    = 0.8Max 。 V
    GS
    =0V
    Tamb=125°C
    R
    DS （ ON）
    G
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    T
    D（上）
    T
    r
    T
    D（关闭）
    T
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =1A,
    V
    DD
    =0.5BV
    DSS
    V
    DD
    =0.5BV
    DSS
    , I
    D
    =1A
    V
    GS
    =0V, V
    DS
    = 25V ， F = 1MHz的
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =0.5A
    V
    DS
    = 50V ，我
    D
    =0.5A
    分钟。
    650
    --
    --
    --
    1.5
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    典型值。
    --
    --
    --
    5.0
    --
    550
    38
    17
    20
    15
    55
    25
    --
    3
    12
    马克斯。
    --
    50
    200
    6.0
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    35
    --
    --
    nC
    nS
    pF
    单位
    V
    µA
    µA
    Ω
    S
    电气特性
    （控制部分，除非另有说明，T
    AMB
    =25°C)
    特征
    欠压节
    启动阈值电压
    停止阈值电压
    振荡器部分
    振荡频率
    频率变化
    温度
    最大占空比
    反馈部分
    反馈源电流
    关机反馈电压
    关机延迟电流
    参考电压
    输出电压
    温度稳定性
    电流限制
    峰值电流限制
    I
    过度
    马克斯。电感电流
    1.89
    2.15
    2.41
    A
    V
    REF
    V
    REF
    T
    -25°
    T
    AMB
    +85°C
    4.80
    --
    5.00
    0.3
    5.20
    0.6
    V
    毫伏/°C的
    I
    FB
    V
    SD
    I
    延迟
    0V V
    FB
    3V
    V
    FB
    6.5V
    5V V
    FB
    V
    SD
    0.8
    6.9
    4
    1.0
    7.5
    5
    1.2
    8.1
    6
    mA
    V
    µA
    F
    OSC
    --
    D
    最大
    -25°
    T
    AMB
    +85°C
    61
    --
    72
    67
    ±5
    77
    73
    ±10
    82
    千赫
    %
    %
    V
    开始
    V
    停止
    V
    FB
    =0
    V
    FB
    =0
    14
    8.4
    15
    9
    16
    9.6
    V
    V
    符号
    测试条件
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    单位
    待续
    杭州士兰微电子股份有限公司
    HTTP ： www.silan.com.cn
    REV ： 1.4
    2007.07.05
    第3页7

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