SVD8N60T/SVD8N60F
8A ， 600V N沟道MOSFET
概述
SVD8N60T / F是一个N沟道增强型MOS功率
它采用士兰微电子的生产场效应晶体管
S-凛
TM
结构DMOS技术。改进后的平面条形
电池和改进的防护环码头一直特别
针对减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。
该产品可广泛应用于AC- DC开关电源， DC-DC
转换器和H桥PMW马达驱动。
特点
∗
8A,600V,R
DS （ ON） （典型值）
=0.96Ω@V
GS
=10V
∗
低栅电荷
∗
低的Crss
∗
快速开关
∗
改进的dv / dt能力
订货说明
产品型号
SVD8N60T
SVD8N60F
包
TO-220-3L
TO-220F-3L
记号
SVD8N60T
SVD8N60F
航运
50Unit/Tube
50Unit/Tube
绝对最大额定值
(T
c
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流脉冲
功率耗散（T
C
=25°C)
-Derate 25℃以上
单脉冲雪崩能量（注1 ）
重复性雪崩能量
工作结温
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
E
AR
T
J
TSTG
-55
-55
147
1.18
530
14.2
+150
+150
SVD8N60T
600
±30
8.0
28
48
0.38
SVD8N60F
单位
V
V
A
A
W
W / ℃，
mJ
mJ
°C
°C
杭州士兰微电子股份有限公司
REV ： 1.0
2009.07.09
第1页7
SILAN [ SILAN MICROELECTRONICS JOINT-STOCK ]
