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    SVD8N60T 参数 Datasheet PDF下载

    SVD8N60T图片预览
    型号： SVD8N60T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8A ， 600V N沟道MOSFET [8A, 600V NCHANNEL MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 466 K
    品牌： SILAN [ SILAN MICROELECTRONICS JOINT-STOCK ]
     浏览型号SVD8N60T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SVD8N60T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SVD8N60T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SVD8N60T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SVD8N60T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SVD8N60T的Datasheet PDF文件第7页  
    SVD8N60T/SVD8N60F
    热特性
    参数
    热阻，结到外壳
    热阻，结到环境
    符号
    R
    JC
    R
    JA
    SVD8N60T
    0.85
    62.5
    SVD8N60F
    2.6
    62.5
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    电气特性（ TC = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    漏极 - 源极击穿电压
    漏极 - 源极漏电流
    栅极 - 源极漏电流
    栅极阈值电压
    静态漏源导通状态
    阻力
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    符号
    B
    VDSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    （注2,3 ）
    V
    DS
    =480V,I
    D
    =7.0A,
    V
    GS
    =10V
    （注2,3 ）
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =250µA
    V
    DS
    =600V, V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =±30V, V
    DS
    =0V
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    =250µA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =3.5A
    V
    DS
    =25V,V
    GS
    =0V,
    f=1.0MHZ
    V
    DD
    =300V,I
    D
    =7.0A,
    R
    G
    =25Ω
    分钟。
    600
    --
    --
    2.0
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    典型值。
    --
    --
    --
    --
    0.96
    1095
    93
    2
    39
    29
    248
    36
    26.8
    5.1
    8.5
    --
    --
    --
    --
    ns
    --
    --
    --
    --
    --
    nC
    pF
    马克斯。
    --
    10
    ±100
    4.0
    1.2
    单位
    V
    µA
    nA
    V
    Ω
    源极 - 漏极二极管额定值和特性
    参数
    连续源电流
    脉冲源电流
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    注意事项：
    1.
    L=19.5mH,I
    AS
    =7.0A,V
    DD
    =50V,R
    G
    = 25Ω ，起始物为
    J
    =25°C;
    符号
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    T
    rr
    Q
    rr
    测试条件
    积分
    连接点
    MOSFET
    I
    S
    =8.0A,V
    GS
    =0V
    I
    S
    =8.0A,V
    GS
    =0V,
    dI
    F
    /dt=100A/µS
    反向
    二极管
    in
    P -N
    该
    分钟。
    --
    --
    --
    --
    --
    典型值。
    --
    --
    --
    365
    3.4
    马克斯。
    8.0
    28
    1.4
    --
    --
    A
    V
    ns
    µC
    单位
    2.
    脉冲测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％ ;
    3.
    基本上是独立的工作温度。
    杭州士兰微电子股份有限公司
    Http://www.silan.com.cn
    REV ： 1.0
    2009.07.09
    第2 7

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