欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

SSF0115 参数 Datasheet PDF下载

SSF0115图片预览
型号: SSF0115
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 符合IEEE802.3af兼容 [IEEE802.3AF Compatible]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 304 K
品牌: SILIKRON [ SILIKRON SEMICONDUCTOR CO.,LTD. ]
 浏览型号SSF0115的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SSF0115的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SSF0115的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SSF0115的Datasheet PDF文件第5页  
SSF0115
羽毛:
先进的加工技术
雪崩能量, 100 %测试
充分界定雪崩电压和电流
描述:
该SSF0115是新一代高电压和低
当前N沟道增强型沟道功率
MOSFET。这种新技术提高了设备的可靠性
和电参数的可重复性。 SSF0115组装
在高可靠性和合格的装配厂。
应用:
符合IEEE802.3af兼容
SSF0115顶视图( SOT- 223 )
ID = 3A
BV=100V
Rdson=0.15Ω
绝对最大额定值
参数
I
D
@T
c
=25
ْ
C
I
D
@T
c
=100ْC
I
DM
P
D
@T
C
=25ْC
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
热阻
参数
R
θJA
结到环境
分钟。
典型值。
马克斯。
69
单位
C / W
连续漏电流, VGS @ 10V
连续漏电流, VGS @ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复电压
工作结
存储温度范围
-55到+150
马克斯。
3
2.3
12
1.8
0.019
±20
79
待定
W
W/
ْ
C
V
mJ
mJ
V / ns的
ْ
C
A
单位
*当安装在推荐的最小尺寸PAS ( PCB安装) 。
电气特性@ TJ = 25
ْ
℃(除非另有规定)
参数
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
R
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
分钟。
100
2.0
2009.6.10
典型值。
0.09
MAX 。单位
0.15
4.0
1
10
100
-100
μA
V
V
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=250μA
V
GS
=10V,I
D
=2A
V
DS
=V
GS
,I
D
=250μA
V
DS
=30V,V
GS
=0V
V
DS
=100V,
V
GS
=0V,T
J
=150ْC
V
GS
=20V
V
GS
=-20V
版本: 1.0
页面
1of5
I
GSS
nA
©
Silikron半导体有限公司。