SSF2715 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSF2715
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内容描述：	DV dt能力极高/ [Extremely high dv/dt capability]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 447 K
品牌：	SILIKRON [ SILIKRON SEMICONDUCTOR CO.,LTD. ]

SSF2715

特点

■

DV dt能力极高/

低栅极电荷Qg结果

简单的驱动要求

100％的雪崩测试

栅极电荷最小化

非常低的固有电容

很不错的重复性制造

DSS

= 500V

= 5A

DS （ ON）

= 1.2Ω

■

描述

SSF2715是新一代高电压

N沟道增强型功率MOSFET和

通过一个极端的优化布局设计获得，

在附加到推导通电阻显著下来，

采取特殊照顾，以确保一个很好的dv / dt能力，

提供出色的开关性能，能承受高

能量脉冲雪崩，并提高封装密度。

SSF2715顶视图（ TO220 ）

应用

■

大电流，高开关速度

灯光

非常适用于离线式电源，适配器， PFC

绝对最大额定值

参数

@Tc=25

@Tc=100ْC

=25ْC

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@10V

连续漏电流， V

@10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

①

③

②

①

马克斯。

0.67

±30

120

8.5

4.5

–55

+150

单位

V / ns的

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

分钟。

—

典型值。

—

0.50

—

马克斯。

1.56

—

62.5

C / W

单位

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