SSF3014 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSF3014
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内容描述：	先进的加工技术 [Advanced trench process technology]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 294 K
品牌：	SILIKRON [ SILIKRON SEMICONDUCTOR CO.,LTD. ]

SSF3014

羽毛：

先进的加工技术

雪崩能量， 100 ％测试

充分界定雪崩电压和电流

描述：

该SSF3014是新一代中间电压和高的

当前N沟道增强型沟道功率

MOSFET。这种新技术提高了设备的可靠性

和电参数的可重复性。 SSF3014组装

在高可靠性和合格的装配厂。

应用：

电源开关的应用

SSF3014顶视图（ TO220 ）

ID = 60A

BV=60V

Rdson=10mohm

绝对最大额定值

参数

=25

=100ْC

=25ْC

英镑

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境

参数

DSS

GS （ TH）

DSS

漏极至源极击穿电压

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

分钟。

—

2.0

—

分钟。

—

典型值。

—

7.2

典型值。

1.03

—

MAX 。单位

—

4.0

—

100

-100

μA

马克斯。

—

单位

C / W

连续漏电流， VGS @ 10V

漏电流脉冲

①

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

②

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

马克斯。

240

120

0.74

±20

235

待定

-55到+150

单位

电气特性@ TJ = 25

℃（除非另有规定）

测试条件

=0V,I

=250μA

=5V,I

=30A

=60V,V

=0V

=60V,

=0V,T

=150ْC

=20V

=-20V

毫欧V

=10V,I

=30A

GSS

Silikron半导体有限公司。

2009.5.15

版本： 1.0

页面

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