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SSF3022D 参数 Datasheet PDF下载

SSF3022D图片预览
型号: SSF3022D
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内容描述: 先进的加工技术 [Advanced trench process technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 331 K
品牌: SILIKRON [ SILIKRON SEMICONDUCTOR CO.,LTD. ]
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SSF3022D
羽毛:
先进的加工技术
超低导通电阻,典型的16mohm
高雪崩能量, 100 %测试
充分界定雪崩电压和电流
描述:
该SSF3022是新一代中间电压和高的
当前N沟道增强型沟道功率
MOSFET。这种新技术提高了设备的可靠性
和电参数的可重复性。 SSF3022组装
在高可靠性和合格的装配厂。
应用:
电源开关的应用
SSF3022D顶视图( DPAK )
ID = 60A
BV=100V
Rdson=22mohm
绝对最大额定值
参数
I
D
@T
c
=25ْ C
I
DM
连续漏电流, VGS @ 10V
漏电流脉冲
线性降额因子
V
GS
E
AS
E
AR
T
J
T
英镑
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
分钟。
I
D
@T
c
= 100℃下连续漏电流, VGS @ 10V
P
D
@T
C
= 25 C功率耗散
马克斯。
60
50
240
100
2.0
±20
240
待定
-55到+150
ْ
C
W
W / C
V
mJ
A
单位
热阻
典型值。
1.25
马克斯。
62.5
单位
ْ
C / W
电气特性@ TJ = 25
ْ
℃(除非另有规定)
参数
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
2008.11.13
分钟。
100
2.0
-
典型值。
16
3.0
58
MAX 。单位
22
4.0
1
10
100
μA
nA
V
mΩ
V
S
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=250μA
V
GS
=10V,I
D
=30A
V
DS
=V
GS
,I
D
=250μA
V
DS
=5V,I
D
=30A
V
DS
=100V,V
GS
=0V
V
DS
=100V,
V
GS
=0V,T
J
=150ْC
V
GS
=20V
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Silikron半导体有限公司
版本: 1.0