SSF3018D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSF3018D
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内容描述：	先进的加工技术 [Advanced trench process technology]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 345 K
品牌：	SILIKRON [ SILIKRON SEMICONDUCTOR CO.,LTD. ]

SSF3018D

羽毛：

先进的加工技术

特别设计的变流器与电源控制

高密度电池设计超低导通电阻

充分界定雪崩电压和电流

雪崩能量100 ％测试

描述：

该SSF3018D是新一代中间电压和

大电流N沟道增强型沟道功率

MOSFET。这种新技术提高了细胞密度

并降低了导通电阻;其典型导通电阻可降低

到11.6mohm 。

应用：

电源开关的应用

绝对最大额定值

参数

=25ْ C

=100ْC

=25ْC

英镑

热阻

参数

θJC

结到外壳

分钟。

—

典型值。

0.65

马克斯。

—

单位

C / W

连续漏电流， VGS @ 10V

漏电流脉冲

①

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

②

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

320

192

2.0

±20

460

待定

-55到+150

W / C

SSF3018D顶视图（ TO220 ）

马克斯。

单位

ID=80A

BV=100V

Rdson=14mohm

电气特性@ TJ = 25

℃（除非另有规定）

参数

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

漏极至源极击穿电压

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

2009.7.15

分钟。

100

—

2.0

—

典型值。

—

11.6

—

MAX 。单位

—

4.0

—

200

-200

—

版本： 1.0

测试条件

=0V,I

=250μA

=10V,I

=30A

=250μA

=10V,I

=40A

=100V,V

=0V

=100V,

=0V,T

=150ْC

=20V

=-20V

=25A

=0.5V

DSS

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