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SSF6816 参数 Datasheet PDF下载

SSF6816图片预览
型号: SSF6816
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内容描述: 高功率和电流移交能力 [High Power and current handing capability]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 276 K
品牌: SILIKRON [ SILIKRON SEMICONDUCTOR CO.,LTD. ]
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SSF6816
描述
该SSF6816采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和
操作与栅极电压可低至2.5V ,而
保留了12V V
GS ( MAX)
投资评级。这是ESD保护。
这个装置是适合于用作单向
或双向负荷开关,促进了其
共漏配置。
原理图
一般特点
V
DS
= 30V ,我
D
= 8A
R
DS ( ON)
< @ 30mΩ到V
GS
=2.5V
R
DS ( ON)
< 24mΩ @ V
GS
=3.1V
R
DS ( ON)
< 22MΩ @ V
GS
=4.0V
R
DS ( ON)
< 20MΩ @ V
GS
=4.5V
R
DS ( ON)
< 17mΩ @ V
GS
=10V
ESD额定值: 2000V HBM
高功率和电流移交能力
被收购无铅产品
表面贴装封装
DFN2 × 5-6L俯视图
标志和引脚分配
包装标志和订购信息
器件标识
6816
设备
SSF6816
器件封装
DFN2×5-6L
带尺寸
胶带宽度
QUANTITY
3000台
绝对最大额定值( TA = 25℃除非另有说明)
参数
符号
漏源电压
栅源电压
漏电流连续@电流脉冲(注1 )
最大功率耗散
工作结存储温度范围
极限
30
±12
8
45
1.7
-55到150
单位
V
V
A
A
W
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
热特性
热阻,结到环境(注2 )
R
θJA
40
/W
电气特性( TA = 25℃除非另有说明)
参数
符号
条件
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
V
GS
= 0V我
D
=250μA
V
DS
=30V,V
GS
=0V
30
典型值
最大
单位
V
1
μA
© Silikron半导体有限公司。
1
http://www.silikron.com
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