SLD-68HFBG1
内置红外抑制滤波器
平面光电二极管
特点
•
快速开关时间，低电容
•
高响应
•
线性响应VS辐射
•
IR过滤器阻塞
•
密封TO- 46的情况下用平窗
•
提供多个暗电流范围
描述
这个小面积的平面，钝化硅
光电检测器被设计为工作在
光伏或反向偏置模式。它提供
在输出信号与辐射极佳的线性度
（EE） 。低暗电流和低电容使
理想的检测器，用于快速上升时间的应用程序。
内部蓝绿重滤网可以阻隔红外线辐射。
绝对最大额定值
储存温度
工作温度
焊接温度（ 1 ）
阴极
（常见到外壳）
5.1
0.8
0.5
ø 5.3
4.7
2.5
25.4 MIN 。
芯片尺寸= 1.7毫米× 1.7毫米
有效面积为2.0平方毫米
阳极
45°
尺寸（mm） 。 （ ±0.13 ）
定向灵敏度特性
50°
40°
30°
20°
10°
1.0
0.8
60°
0.6
半值角= 35 °
-20 ° C至+ 75°C
-20 ° C至+ 75°C
260°C
70°
0.4
0.2
0.0
80°
90°
100°
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20°
40°
60°
80°
100°
120°
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号参数
民
典型值
I
SC
短路电流
6
10
V
OC
开路电压
0.30
I
D
反向暗电流：
SLD-68HFBG1A
SLD-68HFBG1B
SLD-68HFBG1C
SLD-68HFBG1D
SLD-68HFBG1E
C
J
结电容
40
t
R
上升时间
1.0
t
F
下降时间
1.5
TC
I
温度。 COEF 。我
SC
+0.2
V
BR
反向击穿电压
50
最高灵敏度波长
550
λ
P
灵敏度光谱范围
400
λ
R
验收半角
35
θ
1/2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
注：（ 1 ） >2毫米从案例<5秒。
（ 2 ） EE =光源@ 2854
°K
（ 3 ） EE =光源@
λ
= 580 nm的
5200圣帕特里克街，蒙特利尔
阙， H4E 4N9 ，加拿大
联系电话： 514-768-8000
传真： 514-768-8889
QF-84
最大
单位测试条件
2
V
R
= 0V ， EE = 25mW的/平方厘米（2）
µA
2
V
ee值= 25MW /平方厘米（2）
nA
nA
nA
nA
pA
pF
µs
µs
%/°C
V
nm
nm
度
V
R
= 100mV的， EE = 0
V
R
= 5V ， EE = 0
V
R
= 5V ， EE = 0
V
R
= 5V ， EE = 0
V
R
= 5V ， EE = 0
V
R
= 0， EE = 0中，f = 1MHz的
V
R
= 10V ，R
L
=1kΩ (3)
V
R
= 10V ，R
L
=1kΩ (3)
(1)
I
R
=100µA
100
100
10
1
250
700
（离中心线）
102539 REV 2
旧铁路，王子街
阿尔弗斯顿，坎布里亚郡， LA12 7NQ ，英国
联系电话： 01 229 581 551
传真： 01 229 581 554
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