STK10C68-5CF35 参数 Datasheet PDF下载

型号：	STK10C68-5CF35
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内容描述：	8K ×8的nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS非易失性静态RAM [8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	12 页 / 471 K
品牌：	SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]

STK10C68

如果STK10C68是在一个

写

状态时的端

上电

召回

中，

SRAM

数据将被破坏。

为了避免这种情况，一个10K欧姆的电阻

应连接要么之间W和系统

或E和System V之间

较低的平均有功功率

该STK10C68绘制显著较少的电流

当它被循环在时间超过55ns更长。图2

显示我的关系

和

读

周期

时间。最坏情况下的电流消耗为显示

两

CMOS

和

TTL

输入电平（商业温

温度范围内，V

= 5.5V ，占空比为100％的

芯片使能）。图3示出相同的关系

为

写

周期。如果芯片使能占空比

小于100％时，只有待机电流被绘制

当芯片被禁用。整体的平均电流

租金由STK10C68绘制依赖于跟着

降脂项目： 1 ）

CMOS

与

TTL

输入电平; 2）在

芯片的占空比实现; 3 ）整个周期率

对于访问; 4 ）的比率

读

S到

写

s; 5)

操作温度; 6） V

水平;和7）的I /

Ø负载。

硬件保护

该STK10C68提供两个层次的保护，以

无意压制

商店

周期。如果控制

信号（ E，G ， W和NE）留在

商店

CON-

DITION在一个末端

商店

周期，第二

商店

循环将不会启动。该

商店

（或

召回

）将只在过渡期后启动

这些信号所需要的状态的任一种。在

除了多触发保护

商店

s为

抑制当V

低于4.0V ，保护

防止意外

商店

100

平均工作电流（毫安）

TTL

CMOS

TTL

CMOS

100

150

周期时间（纳秒）

200

100

150

周期时间（纳秒）

200

图2 ：我

（最大值）读取

图3 ：我

（最大值）写入

2006年3月

文件控制＃ ML0006修订版0.2

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