STK11C48-NF25I 参数 Datasheet PDF下载

型号：	STK11C48-NF25I
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	2K ×8的nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS非易失性静态RAM [2K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM]
分类和应用：	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小：	10 页 / 370 K
品牌：	SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]

STK11C48

在内部，

召回

是一个两步过程。首先，

该

SRAM

数据被清零，第二， nonvola-

瓦片的信息被传输至电

SRAM

细胞。

的T后

召回

周期时间的

SRAM

将再次

准备好

读

和

写

操作。该

召回

在没有办法改变操作中的数据

非易失元细胞。非易失性数据

回顾无限次数。

硬件保护

该STK11C48提供硬件保护

对开关

商店

在低电压操作

条件。当V

＆ LT ; V

开关

所有软件

商店

操作被禁止。

较低的平均有功功率

该STK11C48绘制显著较少的电流

当它被循环在时间超过50ns的时间更长。图2

显示我的关系

和

读

周期

时间。最坏情况下的电流消耗为显示

两

CMOS

和

TTL

输入电平（商业温

温度范围内，V

= 5.5V ，占空比为100％的

芯片使能）。图3示出相同的关系

为

写

周期。如果芯片使能占空比

小于100％时，只有待机电流被绘制

当芯片被禁用。整体的平均电流

租金由STK11C48绘制依赖于跟着

降脂项目： 1 ）

CMOS

与

TTL

输入电平; 2）在

芯片的占空比实现; 3 ）整个周期率

对于访问; 4 ）的比率

读

S到

写

s; 5)

操作温度; 6） V

水平;和7）的I /

Ø负载。

100

上电

召回

上电时，或在任何低功耗状态

＆ LT ; V

RESET

），内部

召回

请求将被

锁存。当V

再次超过所述感

V的电压

开关

, a

召回

循环会自动

发起并会采取吨

恢复

来完成。

如果STK11C48是在一个

写

状态时的端

上电

召回

中，

SRAM

数据将被破坏。

为了避免这种情况，一个10K欧姆的电阻

应连接要么之间W和系统

或E和System V之间

100

平均工作电流（毫安）

TTL

CMOS

TTL

CMOS

100

150

周期时间（纳秒）

200

100

150

周期时间（纳秒）

200

图2 ：我

（最大值）读取

图3 ：我

（最大值）写入

2006年3月

8Document控制＃ ML0003修订版0.2

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案