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STK11C88-3PF45 参数 Datasheet PDF下载

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型号: STK11C88-3PF45
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内容描述: 32K ×8的nvSRAM 3.3V QuantumTrap⑩ CMOS非易失性静态RAM [32K x 8 nvSRAM 3.3V QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 369 K
品牌: SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
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STK11C88-3
设备操作
该STK11C88-3是一个多功能的3.3V V
CC
内存
芯片提供若干操作模式。该
STK11C88-3可以作为标准32K ×8的操作
SRAM
。它有一个32K ×8非易失性元件
影到的
SRAM
信息可被敷铜
IED或从中
SRAM
可以在不更新
挥发性模式。
软件非易失
商店
该STK11C88-3软件
商店
周期开始
通过执行顺序
六spe-周期
cific地址位置。在
商店
循环的
擦除之前的非易失性数据是第一per-
形成,其次是非易失性的程序
元素。该程序运行复制
SRAM
数据到非易失性存储器。一旦
商店
周期
开始,进一步的输入和输出被禁用,直到
该循环结束。
因的序列,从特定读和写
地址被用于
商店
开始时,它一点很
坦没有其他
or
访问接口
vene序列中,或该序列将是
中止,没有
商店
or
召回
会发生。
要启动软件
商店
周期,以下
序列必须执行:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
0E38 (十六进制)
31C7 (十六进制)
03E0 (十六进制)
3C1F (十六进制)
303F (十六进制)
0FC0 (十六进制)
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
开始
商店
周期
噪声考虑
注意, STK11C88-3是一个高速存储
因此必须有一个高频旁路电容
大约0.1μF连接V之间器
CC
和V
SS
使用动态迹线是短
可能。与所有高速
CMOS
集成电路,正常
小心路由电源,接地和信号将
防止噪音问题。
SRAM读
该STK11C88-3执行
每当循环
E和G是低和W是高的。地址试样
田间的引脚
0-14
确定哪些32,768
数据字节将被访问。当
是initi-
由地址转换ated ,输出将
T的延迟后有效
AVQV
(
循环#1) 。如果
用E或G发起,输出将是有效的
在T
ELQV
或者在t
GLQV
,以较迟者为准(
周期#2)。
数据输出将重复响应地址
内T改变
AVQV
而不需要访问时间
对于过渡上的任何控制输入引脚,并且将
保持有效,直到另一个地址变更,或直至ê
或G拉高。
该软件序列主频与E受控
s.
一旦该序列中的第六个地址已
输入,则
商店
周期将开始与
芯片将被禁用。重要的是
周期
个周期的序列中被使用,
虽然没有必要使G是低的
序列是有效的。之后的T
商店
周期时间具有
得到满足时,
SRAM
将再次进行激活
操作。
SRAM写
A
循环执行时E和W分别
低。地址输入之前必须是稳定的
进入
周期,必须保持稳定
直到东或者西变高,在该周期的结束。
对通用I数据输入/输出引脚DQ
0-7
将令状
10到存储器,如果它是有效吨
DVWH
年底前
一个W的控制
或T
DVEH
的年底前
E受控
.
建议使得G保持高时的
整个
周期,以避免数据总线争用
常见的I / O线。若G是左低,内部电路
将关闭输出缓冲器吨
WLQZ
W¯¯后变低。
软件非易失
召回
软件
召回
周期开始于一个序列
of
操作的方式类似的软
商店
起始。要启动
召回
周期,
将按照下列顺序
操作必须是
执行:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
0E38 (十六进制)
31C7 (十六进制)
03E0 (十六进制)
3C1F (十六进制)
303F (十六进制)
0C63 (十六进制)
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
开始
召回
周期
2006年3月
7
文件控制# ML0013修订版0.2