STK12C68 ( SMD5962-94599 )
硬件模式选择
E
H
L
L
X
W
X
H
L
X
HSB
H
H
H
L
A
12
- A
0
(十六进制)
X
X
X
X
0000
1555
0AAA
1FFF
10F0
0F0F
0000
1555
0AAA
1FFF
10F0
0F0E
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
非易失性
商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
召回
I / O
输出高Z
输出数据
输入数据
输出高Z
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
动力
待机
活跃
活跃
l
CC2
m
o
笔记
L
H
H
活跃
N,O
l
CC2
L
H
H
活跃
N,O
注M: HSB
商店
操作时,如果只有一个SRAM写入了自上次非易失性周期完成。后
商店
(如果有的话)完成后,将
部分将进入待机模式,抑制了所有的操作,直到HSB上升。
注N:六个连续的地址必须是在列出的顺序。则W必须是高的,在所有6个连续的周期,以使非易失性周期。
注意O:I / O状态,假设摹< V
IL
。非易失性周期的激活不依赖于G的状态
五金
商店
周期
符号
号
标准
22
23
24
25
26
t
商店
t
延迟
t
恢复
t
HLHX
t
HLBL
备用
t
HLHZ
t
HLQZ
t
HHQX
商店
循环时间
时间可以完成SRAM周期
五金
商店
高抑制关
五金
商店
脉冲宽度
五金
商店
低到存储忙
参数
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
e
STK12C68
单位备注
民
最大
10
1
700
15
300
ms
μs
ns
ns
ns
I,P
I,Q
P,R
注号码: E和G低的输出行为。
注Q : E和G低和W的高输出行为。
注R:吨
恢复
只适用吨后
商店
就完成了。
五金
商店
周期
25
t
HLHX
HSB ( IN)
24
t
恢复
22
t
商店
HSB (OUT)
26
t
HLBL
高阻抗
高阻抗
23
t
延迟
DQ ( DATA OUT )
数据有效
数据有效
文件控制# ML0008版本0.7
2007年2月
6