STK12C68 （ SMD5962-94599 ）
HSB操作
该STK12C68提供了HSB引脚用于控制
并承认
商店
操作。在HSB
销被用来请求一个硬件
商店
周期。
当HSB引脚驱动为低电平时， STK12C68会
有条件启动
商店
吨后操作
延迟
;
实际
商店
周期只有将如果开始
写
to
该
SRAM
发生了自上次
商店
or
召回
周期。在HSB引脚作为漏极开路
驱动程序是一种内部驱动到低电平，表示忙碌
条件而
商店
（通过任何方式发起）
正在进行中。
SRAM读
和
写
操作是
如果HSB不使用，应悬空。
防止STORES
该
商店
功能可以在由飞被禁用
拿着HSB高配能采购的司机
30毫安在V
OH
中的至少2.2V ，因为它会得
制服驱动内部下拉器件
HSB低为20微秒时的发病
商店
。当
该STK12C68被连接用于自动存储的操作
（系统V
CC
连接到V
CCx中
和一个68μF电容
在V
帽
）和V
CC
十字V
开关
在一路下跌，
该STK12C68将试图拉HSB低;如果HSB
实际上并没有得到低于V
IL
，该部分将停止试戴
荷兰国际集团拉HSB低中止
商店
尝试。
当HSB被拉低以任何方式进步是
定时间之前完成
商店
手术
被启动。经过HSB变为低电平时， STK12C68会
CONTINUE
SRAM
对于T运营
延迟
。在t
延迟
,
多种
SRAM读
操作可能发生。如果一个
写
正在进行时HSB被拉低它会
允许一个时间t
延迟
，即可完成。然而，任何
SRAM写
次要求后HSB变低
将被禁止，直到返回HSB高。
在HSB引脚可用于同步多个
STK12C68s而使用单个较大的电容器。对
工作在这种模式下， HSB销应CON
已连接在一起的HSB销从另一
STK12C68s 。一个外部上拉电阻到+ 5V是
必需的，因为HSB作为一个漏极开路下拉。
在V
帽
从其他STK12C68份销可
是绑在一起并共享单个电容器。该
电容器的大小必须通过的数量来缩放
连接到它的设备。当的任何一个
STK12C68s检测到的功率损耗，并声称HSB ，
常见的HSB引脚将导致所有零件要求
a
商店
周期（一
商店
将在这些
已写入自上次STK12C68s
非易失性周期） 。
在任何
商店
操作中，不论它是如何
在启动时， STK12C68将继续推动
在HSB引脚为低电平，释放它，只有当
商店
is
完整的。一旦竣工
商店
手术
该STK12C68将保持禁用，直到HSB
引脚为高电平。
硬件保护
该STK12C68提供硬件保护
对开关
商店
操作和
SRAM写
s能很好地协同
ING低电压的条件。当V
帽
＆ LT ; V
开关
，所有
外部启动
商店
操作和
SRAM
写
s的抑制。
自动存储可以通过把V完全禁用
CCx中
到地面并施加+ 5V至V
帽
。这是
自动存储
抑制模式;在这种模式下，
商店
s为只
通过使用该软件的明确要求启动
序列或HSB销。
较低的平均有功功率
该STK12C68绘制显著较少的电流
当它被循环在时间超过50ns的时间更长。图5
显示我的关系
CC
和
读
周期
时间。最坏情况下的电流消耗为显示
两
CMOS
和
TTL
输入电平（商业温
温度范围内，V
CC
= 5.5V ， 100 ％的芯片占空比
启用） 。图6示出对于相同的关系
写
周期。如果芯片使占空比小于
超过100 ％ ，仅待机电流时绘制的
芯片被禁止。得出的总平均电流
由STK12C68依赖于以下项目：
1)
CMOS
与
TTL
输入电平; 2 ）占空比
芯片使能; 3 ）整个周期率的访问;
4 ）的比率
读
S到
写
S; 5）操作
温度; 6） V
cc
水平; 7 ）I / O负载。
文件控制＃ ML0008版本0.7
2007年2月
11
SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
