STK12C68 （ SMD5962-94599 ）
软件非易失
召回
软件
召回
周期开始于一个序列
of
读
操作的方式类似的软
器
商店
起始。要启动
召回
周期，
将按照下列顺序
E
控制
读
操作
业必须被执行：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
0000 （十六进制）
1555 （十六进制）
0AAA （十六进制）
1FFF （十六进制）
10F0 （十六进制）
0F0E （十六进制）
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
开始
召回
周期
具有68μF和之间的一个电容的电容器
220μF （ ± 20％）的额定电压为6V ，应提供。
在系统上电模式（图3 ），这两个V
CCx中
和V
帽
被连接到+ 5V的电源，而不
68μF电容。在这种模式下，自动存储功能
该STK12C68将存储系统上运行
充电功率下降。必须在用户，然而
曾经，保证V
CCx中
不低于3.6V
在10毫秒
商店
周期。
当自动
商店
上不需要的功率损耗，
那么V
CCx中
可连接到接地和+ 5V加到
V
帽
（图4） 。这是自动存储禁止模式中，在
它的自动存储功能被禁用。如果
STK12C68在此配置中操作并引用
分配办法，以V
CCx中
应该改变到V
帽
始终
此数据表。在这种模式下，
商店
操作可能
通过软件控制或HSB引脚被触发。
这是不允许的这三者之间改变
选择“对飞”。
为了防止不必要的
商店
操作，
自动
商店
š以及那些由发起
外部驱动HSB低将被忽略，除非在
至少有一个
写
由于操作已发生
最新的
商店
or
召回
周期。软件initi-
ated
商店
周期无论执行
是否
写
操作已经发生。一
可选的上拉电阻被示为连接到HSB 。
这可以被用来发信号的系统，该
自动存储周期正在进行中。
如果电源比下降20快
μS/伏
前V
CCx中
达到V
开关
，然后2.2欧姆的电阻
应V之间插入
CCx中
和系统
供应，以避免瞬间过电流的
之间Vccx和VCAP 。
在内部，
召回
是一个两步过程。首先，将
SRAM
数据被清除，且第二，非易失性
信息被传输至电
SRAM
细胞。后
经t
召回
周期时间的
SRAM
将再次
准备
读
和
写
操作。该
召回
以任何方式操作改变了数据的非易失性
元素。非易失性数据可被调用的
的次数不受限制。
自动存储操作
该STK12C68可以在三个中的一个被供电
模式。
在正常的自动存储操作中， STK12C68
将利用电流从V
CCx中
给电容器充电
连接至V
帽
引脚。此存储的电荷会
所使用的芯片执行单
商店
操作
化。上电后，当上了V的电压
帽
引脚低于V
开关
，该部分将自动
断开V
帽
引脚从V
CCx中
并启动
商店
操作。
图2示出的电容器的适当连接
自动存储操作。电荷存储
0.1
μF
绕行
10K Ø
10K ○*
10K Ø
10K Ø
10K ○*
1
1
0.1
μF
绕行
28
27
26
28
27
26
1
28
27
26
68μF
6V ±20%
0.1μF
+
14
15
14
15
14
15
图2.自动存储模式
图3.系统电源模式
图4.自动存储禁止模式
文件控制＃ ML0008版本0.7
2007年2月
10
10K ○*
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