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STK14CA8-NF25I 参数 Datasheet PDF下载

STK14CA8-NF25I图片预览
型号: STK14CA8-NF25I
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内容描述: 128Kx8自动存储的nvSRAM [128Kx8 Autostore nvSRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 21 页 / 562 K
品牌: SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
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STK14CA8
SRAM读周期# 1 & # 2
符号
#1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
t
AXQXd
t
AVAVc
t
AVQVd
#2
t
ELQV
t
ELEHc
t
AVQVd
t
GLQV
t
AXQXd
t
ELQX
t
EHQZe
t
GLQX
t
GHQZe
t
ELICCHb
t
EHICCLb
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
地址更改或芯片使能到
输出活动
地址更改或芯片禁用到
输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
35
3
3
10
0
13
0
45
25
25
12
3
3
13
0
15
参数
最大
25
35
35
15
3
3
15
最大
35
45
45
20
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK14CA8-25
STK14CA8-35
STK14CA8-45
单位
注意:C :
注意D:
注E:
注F:
W¯¯必须在SRAM读周期高。
设备,不间断地与E和G两个选择低
±
200mV的从稳态输出电压。
HSB必须在读取和写入周期保持高电平。
SRAM读周期1:
地址控
C, D,F
2
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
DQ ( DATA OUT )
数据有效
3
t
AVQV
SRAM读周期# 2 :
E和G受控
C,F
ADDR ESS
t
ê LE ħ
1
t
EL Q V
2
29
t
EHAX
11
t
EHI CC L
7
t
EHQ ž
E
27
6
t
ELQ X
G
t
AV QV
4
8
t
体中Q X
t
体中QV
9
t
GH Q ž
3
DQ (D ATA OUT)
10
t
ELI CC ħ
AC牛逼IVE
DAT一个VAL ID
I
CC
圣和
文件控制# ML0022版本2.1
2008年1月
5