STK14D88
操作的nvSRAM
NVSRAM
该STK14D88的nvSRAM是由两个功能
tional部件配对的在同一个物理单元中。
这些都是对SRAM的存储单元和一个非易失性
QuantumTrap细胞。 SRAM的存储单元进行操作
就像一个标准的快速静态RAM 。在SRAM中的数据
可以被转移到非易失性细胞(在
STORE操作) ,或从非易失性细胞
SRAM (调用操作) 。这种独特的架构设计师用手工
tecture允许所有细胞进行存储和回顾
平行。在STORE和RECALL操作
SRAM的读写操作都被禁止。
该STK14D88支持无限读取和写入
像典型的SRAM 。此外,它提供了无限
从非易失性细胞RECALL操作和
高达200K的存储操作。
SRAM写
写周期完成时E和W分别
LOW和HSB高。地址输入必须是
稳定之后才能进入写周期和必须的
保持稳定,直到东或者西变高的
循环的结束。对通用I / O引脚的数据
DQ0-7将被写入到存储器中,如果它是有效吨
DVWH
在W控制的写入或T年底前
DVEH
一个E控制的写在年底前。
建议使得G保持高时的
整个写周期,以避免数据总线争
通用I / O线。若G是左低,内部电路
将关闭输出缓冲器吨
WLQZ
后W¯¯去
低。
自动存储操作
该STK14D88将数据存储到使用中的一个的nvSRAM
三个存储操作。这三个操作
在硬件存储(由HSB激活) ,软件
存储(由地址序列被激活) ,并
自动存储(在断电) 。
自动存储操作SIMTEK的一大特色
量子阱技术是默认启用的
该STK14D88 。
在正常操作期间,该装置将利用电流
从V租
CC
以连接到一个电容器充电
在V
帽
引脚。此存储的电荷将被使用的
芯片进行单店操作。如果
电压在V
CC
引脚低于V
开关
中,
部分将自动断开V
帽
从销
V
CC
。存储操作将电源启动
由V提供
帽
电容。
图3示出了存储的正确连接
电容(V
帽
)自动存储操作。
是指为直流特性表
电容器的大小。在V的电压
帽
引脚
由电荷泵芯片内部驱动到5V 。一
拉起应放在W至持有它不活动能很好地协同
荷兰国际集团电。
为了减少不必要的非易失性存储,自动存储
和硬件存储业务将被忽略
除非至少有一个写操作已
把自最近一次存储或调用
周期。启动软件商店周期是针对每个
形成无论是否写入操作
SRAM读
该STK14D88执行一个读周期时ê
和G为低,而W和HSB高。该
地址引脚上的一个特定的编
0-16
确定哪个
在32,768个数据字节将被访问。当
READ由地址转换,输出启动
吨的延迟后卖出期权的有效期
AVQV
(读周期
#1) 。如果读取由E和G ,输出启动
将在t有效
ELQV
或者在t
GLQV
,以较迟者为准
(读周期# 2 ) 。数据输出将反复
响应地址内的T变化
AVQV
而不需要任何转换的存取时间
控制输入引脚,并保持有效,直到另一个
地址变更,或直到E或G被带到
高,或W或HSB变为低电平。
V
CC
10K欧姆
V
帽
V
CC
V
帽
W
图3:自动存储模式
文件控制# ML0033版本2.0
2008年1月
0.1µF
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