初步
STK14EC16
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
17
A
16
A
15
G
UB
LB
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
E
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
W
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
1
HSB
NC
A
17
A
16
A
15
G
UB
LB
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
NC
NC
2
3
4
5
6
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
E
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
W
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
LB
DQ
8
G
UB
A
0
A
3
A
5
A
17
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
A
2
E
NC
DQ
0
A
B
C
D
E
F
G
H
DQ
9
DQ
10
V
SS
DQ
11
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
V
CC
V
SS
（ TOP）
（ TOP）
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
CC
DQ
12
V
帽
DQ
14
DQ
13
DQ
15
HSB
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
DQ
5
DQ
6
W
A
11
DQ
7
NC
（ TOP）
48球FBGA
44针TSOP -II
（请参见第18页全机械图纸 - 20 ）
54针TSOP -II
引脚说明
引脚名称
A
17
-A
0
DQ
15
-DQ
0
E
LB
UB
W
G
V
CC
HSB
输入
I / O
输入
输入
输入
输入
输入
电源
I / O
I / O
描述
地址： 18地址输入的nvSRAM阵列中选择262,144言
数据：用于访问的nvSRAM双向16位数据总线
芯片使能：活动低辐射输入选择器
字节写选择输入：控制DQ7 - DQ0 （未选择的字节将不写入或读取） 。
字节写选择输入：控制DQ15 - DQ8 （未选择的字节将不写入或读取） 。
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据被写入到由E的下降沿锁存的地址位置
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。德主张摹高导致DQ引脚
为三态。
电源： 3.0V + 20 ％ -10 ％
五金店忙：当该低输出指示存储过程中（也低功率了，而忙时） 。当拉
低外部的芯片，它将启动一个非易失STORE操作。弱上拉电阻保持这个引脚为高电平，如果没有连接。
（连接可选） 。
自动存储电容：供应电源的nvSRAM在断电期间存储的数据从SRAM到非易失性存储元素
求。
地
该管脚没有连接到模具上。 （不要连接设计，留作将来使用）
V
帽
V
SS
NC
电源
电源
无连接
文件控制＃ ML0061 1.1版
2008年1月
3
SIMTEK机密
SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
