初步
STK14EC8
操作的nvSRAM
SRAM写
写周期完成时E和W分别
LOW和HSB高。地址输入必须是
稳定之后才能进入写周期和必须的
保持稳定，直到东或者西变高的
循环的结束。对通用I / O引脚的数据
DQ0-7将被写入到存储器中，如果它是有效吨
DVWH
在W控制的写入或T年底前
DVEH
一个E控制的写在年底前。
建议使得G保持高时的
整个写周期，以避免数据总线争
通用I / O线。若G是左低，内部电路
将关闭输出缓冲器吨
WLQZ
后W¯¯去
低。
NVSRAM
该STK14EC8的nvSRAM是由两个功能
tional部件配对的在同一个物理单元中。
这些都是对SRAM的存储单元和一个非易失性
QuantumTrap细胞。 SRAM的存储单元进行操作
就像一个标准的快速静态RAM 。在SRAM中的数据
可以被转移到非易失性细胞（在
STORE操作） ，或从非易失性细胞
SRAM （调用操作） 。这种独特的架构设计师用手工
tecture允许所有细胞进行存储和回顾
平行。在STORE和RECALL操作
SRAM的读写操作都被禁止。
该STK14EC8支持无限读取和写入
像典型的SRAM 。此外，它提供了无限
从非易失性细胞RECALL操作和
高达200K的存储操作。
自动存储操作
该STK14EC8将数据存储到使用一个的nvSRAM
三个存储操作。这三个操作
在硬件存储（由HSB激活） ，软件
存储（由地址序列被激活） ，并
自动存储（在断电） 。
自动存储操作SIMTEK的一大特色
这是默认启用的QuanumTrap技术
在STK14EC8 。
在正常操作期间，该装置将利用电流
从V租
CC
以连接到一个电容器充电
在V
帽
引脚。此存储的电荷将被使用的
芯片进行单店操作。如果
电压在V
CC
引脚低于V
开关
中，
部分将自动断开V
帽
从销
V
CC
。存储操作将电源启动
由V提供
帽
电容。
图3示出了存储的正确连接
电容（V
帽
）自动存储操作。
是指为直流特性表
V的尺寸
帽
。在V的电压
帽
引脚驱动
到5V由电荷泵内部的芯片。上拉
最高应放在W上时拿着它不活跃
上电。这种上拉才有效，如果在W显
最终是在上电期间三态。许多MPU的将三 -
说明上电时的控制。这应该是ver-
后指定使用上拉的时候。当的nvSRAM
出来上电召回后，MPU必须
主动或W保持无效，直到MPU来
脱离复位。
SRAM读
该STK14EC8执行一个读周期时
E和G为低，而W和HSB高。该
地址引脚上的一个特定的编
0-18
确定哪个
在524,288个数据字节将被访问。当
READ由地址转换，输出启动
吨的延迟后卖出期权的有效期
AVQV
（读周期
＃1） 。如果读取由E和G ，输出启动
将在t有效
ELQV
或者在t
GLQV
，以较迟者为准
（读周期＃ 2 ） 。数据输出将反复
响应地址内的T变化
AVQV
而不需要任何转换的存取时间
控制输入引脚，并保持有效，直到另一个
地址变更或直到E或G被拉高，或W
和HSB被拉低。
v
CC
v
CC
10K欧姆
0.1µF
v
帽
v
帽
W
图3：自动存储模式
文件控制＃ ML0060 1.0版
2007年4月，
11
SIMTEK机密
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